α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱

本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度E_t=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×10⁸s^-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.     

有机光导液晶光阀

光阀是一种高分辨的图象转换器,能将非相干图象直接转变为相干图象,可应用于实时的相干光处理,是研究光信息处理的关键器件。     

等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用

从理论和实验技术上讨论了等温衰减电流(IDC)法及其在有机固体陷阱研究中的应用;介绍了根据Simmons等人的理论研制的实验装置:和对几种有机固体薄膜馅阱的研究; 得到了高斯分布型陷阱的峰值能级E_m,分布宽度参数σ,和能态密度N(E),以及载流子热释放的频率因子v等重要的陷阱表征参数.     

酞菁铜薄膜的高斯分布陷阱

有机固体中杂质、结构缺陷和晶界的存在,在载流子输运中起陷阱作用。因此有机固体的导电性能通常受载流子的被陷和脱陷的连续过程控制。近年来人们对有机固体陷阱的探讨很感兴趣,特别是对多晶和非品态材料中分布陷阱的研究,但对高斯型分布陷阱的实验处理一直没有得到解决。本文介绍等温衰减电流(IDC)实验用于酞菁铜(Cupc)薄膜的高斯型分布陷阱。在高场下可以忽略载流子的复合。我们推导的高斯型分布陷阱的陷阱能态分布与IDC谱关系为: