两相区中生长单晶的分凝问题

讨论了二元系一般相图形态下,两相区生长单晶时的组分分布,富集层的影响,不产生组分过冷的条件,推导了求解组分分布,结晶温度变化的公式。讨论了三元固溶体系单晶组分的确定方法,推导了一些条件下晶相组分分布的公式。指出了三元系在单晶生长问题中应用时可以用膺二元系来简化的条件。     

三对角矩阵整体求解方法

提出了厄米三对角矩阵本征问题的整体求解方法。它把本征值与对应的本征矢之间的内在联系用公式表示出来,使得在计算本征值时,几乎同时求出了本征矢。采用本文提出的选取分界点的方法,可以使本征失的计算精度与本征值的精度具有相同数量级。这一方法可以用来处理维数十分大的体系。     

氦的奇异结晶过程

氦,具有许多特殊的物理性质.它是物理学工作者们热心研究的对象.氦有两种同位素:~4He和~3He,在通常的氦气中,绝大部分是~4He,只有极少的~3He.在~4He、~3He液体中,都发现了超流现象,这是一种宏双量子效应,它们的粘滞性、热传导,比热等都与一般物质不同。从结晶学角度来看,氦的结晶过程也是非常奇特的.熔体冷凝而发生结晶,晶体加热升温而熔化,这     

非晶态形成的临界条件

从Turnbull等人的成核理论出发以不同的相变驱动力表示式,推导了由物质的热力学参量α~3β、η、T_m决定的形成非晶态的的临界条件。从Uhlmann提出的求形成非晶态形成所需临界冷却速度的原理出发,得到了估算临界冷却速度的简化估算方法。     

高压对形成非晶态的影响

非晶态材料以其特有的一些优良性质引起了人们的注意。近十几年来,非晶态材料在实践上和理论上都有不少发展。但是对于许多合金非晶态材料,当用液相淬火方法获得非晶态时,要求高冷却速度,一般在10~6K/Sec以上。这使得目前获得的非晶态材料还仅限于薄带材及若干易于形成非晶态的材料。还有一些物质,比如大多数金属元素,至今还未能获得非晶态材     

态密度卷积关系

电子、声子态密度是与体系许多物理性质相联系的基本物理量。但是,人们很少研究不同体系态密度之间的内在联系。我们发现,许多量子体系的态密度可以用子体系或低维体系的态密度的卷积表示,这一规律,我们称为态密度的卷积关系。我们先看自由电子气和紧束近似简立方晶格。对自由电子气,态密度为     

高压对形成非晶态的影响

非晶态材料具有许多优良的特性。但许多金属及其合金从熔体冷凝时,所需的临界冷却速度很高,因此目前还难于制备大块的金属及其合金的非晶态材料,而且大多数金属元素还未能获得非晶态。因此探索非晶态材料制备的新途径是十分有意义的问题。我们从结晶动力学讨论非晶态形成的原理出发,讨论了加高压对熔体冷凝时晶