双折射消偏振薄膜设计

给出了倾斜入射条件下光轴垂直于入射面的单轴双折射薄膜内非寻常光及寻常光传播的2×2特征矩阵, 而且计算了双折射薄膜对两种偏振态光波的透射反射特性, 为倾斜入射条件下单波长及宽带范围内的消偏振薄膜设计提供了新的方法. 另外, 利用多层双折射薄膜实现了倾斜入射条件下单波长消偏振分束薄膜、消偏振截止滤光片及可见光范围内宽带消偏振减反薄膜等设计.     

高反射率Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化

对磁控射频溅射法制备的Ag5 In5 Te47Sb3 3 相变薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化进行了研究 .沉积态薄膜为非晶态 ,其晶化温度为 1 6 0℃ .晶态薄膜中产生了立方晶态相AgInTe2 和AgSbTe2 及单质Sb ,2 2 0℃退火薄膜中AgSbTe2 相含量最大 .晶态薄膜的反射率高于沉积态 ,并且 2 2 0℃退火的晶态薄膜反射率最大 .2 2 0℃退火薄膜为直径约 30nm的球状AgSbTe2 相和短棒状Sb相 .     

高反射率Ag5In5Te47Sb33相变薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化

对磁控射频溅射法制备的Ag₅In₅Te₄₇Sb₃₃相变薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化进行了研究 .沉积态薄膜为非晶态 ,其晶化温度为160℃.晶态薄膜中产生了立方晶态相AgInTe₂ 和AgSbTe₂ 及单质Sb ,220℃退火薄膜中AgSbTe₂ 相含量最大.晶态薄膜的反射率高于沉积态 ,并且220℃退火的晶态薄膜反射率最大.220℃退火薄膜为直径约30nm的球状AgSbTe2 相和短棒状Sb相.     

Co/Sb多层膜非单色反射率的计算

Co/Sb多层膜在光子能量为528 eV和掠入射为10.3°时有近62%理论反射率. 推导出了入射光为非单色光时多层膜反射率的计算方法, 分析了不同入射光能量分辨率对多层膜测量反射率的影响. 结果表明: Co/Sb多层膜测量反射率对入射光能量分辨率有强烈的依赖性, 如果入射光能量分辨率小, 将导致测量反射率远小于理论反射率. 只有在入射光能量分辨率达到1600以上, 测量反射率才等于多层膜实际反射率. 给出了Co/Sb多层膜反射率的拟合值, 这与实验结果是吻合的.     

GaN蓝光材料新型ZnO /Si外延衬底的溅射沉积

采用常规磁控溅射方法 ,通过优化工艺 ,在Si( 10 0 ) ,Si( 111)多种基片上沉积ZnO薄膜 .利用透射电镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)和X射线摇摆曲线 (XRC) ,对ZnO薄膜的微区形貌、结晶情况、C轴择优取向进行了详细的测试分析 .结果表明 ,所制备的ZnO薄膜具有理想的结构特性 ,大多数样品测得ZnO( 0 0 2 )晶面XRC的半高宽 (FWHM)为 1°左右 ,最小值达 0 .3 5 3°,优于目前国内外同类研究的最佳结果 2°.并对ZnO/Si( 10 0 )与ZnO/Si( 111)衬底的结果进行了比较和讨论 .     

双折射薄膜界面电磁传播特性分析

由于双折射薄膜的各向异性, 异常光波在双折射薄膜界面的传播特性与各向同性介质界面的传播特性不同. 利用Maxwell方程边界连续条件研究了异常光波在双折射薄膜界面的传播行为, 重点讨论了异常光波在双折射薄膜界面存在的一些有意义的光学现象, 如同侧折射、宽角度Brewster现象.     

磁控溅射沉积宽带减反膜

早在1938年,美国就研制成功了多层减反膜,稍后在欧洲也取得了成功。减反膜在光学薄膜生产中处于非常重要的地位:照像物镜、眼镜片、望远镜、显微镜、测距仪等,几乎所有的光学仪器都采用了减反膜。目前减反膜的制备在技术上已经成熟,尤其是借助电子计算机,多层减反膜的膜系也变得十分完美。减反膜在制备方法上先后采用了电阻加热蒸发和电子枪蒸发法等。然而随着大批量减反膜的需求,提出了在室温下,大面积沉积减反膜的要求。由于磁控溅射能得到性能很稳定的光学薄膜,而且在室温下能进行大面积沉积,因此近年来受到广泛重视。本文介绍采用磁控溅射沉积多层宽带减反膜,研究了溅射系统、厚度监控、沉积     

磁控溅射薄膜的厚度分布

论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.