排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性 总被引：1，自引：0，他引：1
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献
2.
溅射后氨化法制备氮化镓薄膜技术综述 总被引：1，自引：3，他引：1
简要介绍了溅射后氨化法制备氮化镓薄膜（纳米结构）的技术，总结了近年来用此方法所取得的科研成果，并着重介绍了衬底结构对氮化镓薄膜形貌的影响，以期进行理论计算、预测，并最终实现可控生长有所帮助． 相似文献
1