快离子在C60薄膜中电子能损效应

用Ｒａｍａｎ散射技术分析了１７１．２ＭｅＶＳ＾９＋和１２０ｋｅＶ的Ｈ＾＋离子在Ｃ６０薄膜中电子能损引起的效应，即晶态→非晶态转变。在Ｈ＾＋离子辐照的情况下，发现电子能损有明显的退火效应，致使Ｃ６０晶态→非晶态转变过程中，经过一个石墨化的中间过程。而在Ｓ＾９＋离子辐照的情况下，电子能损的破坏作用超过了退火效应，不存在石墨化的中间过程。