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无铅BGA封装可靠性的跌落试验及焊接界面微区分析 总被引:3,自引:0,他引:3
通过进行BGA封装的可靠性力学试验(高加速度跌落试验),研究了机械冲击和应力对无铅BGA封装焊点的可靠性的影响,并通过对失效BGA封装焊点的微观结构和成分的SEM/EDX分析,寻找影响焊点可靠性的主要因素,研究结果表明,焊点的失效模式较为复杂,而在多数情况下,焊点的疲劳失效与焊接界面处的金属间化合物IMC层断裂有关,并对无铅焊料IMC的性质也作了研究. 相似文献
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采用Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si复合栅MIS结构,通过对设计及关键工艺的改进,研制了灵敏度高(120℃,1000ppmH_2中,阈值电压的改变可达520mV),响应、恢复时间短(120℃,1000ppmH_2,响应、恢复时间分别为10秒和25秒)的Pd栅氢敏管。比较了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构和Pd/SiO_2/Si结构对恢复时间的影响,解释了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构可有效缩短恢复时间的原因。 相似文献
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重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析 总被引:2,自引:0,他引:2
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试,虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助。 相似文献
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在科技翻译中,词意的确是一直被认为是最困难的。本文试图从中文及英文构词规律之异同,和设法确定判断词意的参照系等第三个方面探讨科技翻译中词意的确定。撰文之前曾与同行专家商讨,皆认为有新意。 相似文献
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IC智能卡失效机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
IC智能卡使用过程中出现的密码校验失效、数据丢失、应用区不能读写等一系列失效和可靠性问题,严重影响了其在社会生活各领域的广泛应用.分析研究了IC智能卡芯片碎裂、引线键合断裂、静电放电损伤等失效模式和失效机理,并结合IC卡制造工艺和失效IC卡的分析实例,对引起这些失效的根本原因作了深入探讨,就提升制造成品率、改善可靠性提出应对措施。 相似文献
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随着集成电路特征尺寸的不断缩小,器件结构越来越复杂,应用电子显微分析技术对IC的特定部位进行高空间分辨率的微结构分析,已成为IC新产品、新结构设计,新工艺开发和芯片生产质量保证的重要手段.结合深亚微米IC结构电子显微分析所涉及的FIB定位制样和TEM高分辨成像等关键技术的讨论,分析了一种新型的分立栅结构的深亚微米非挥发性闪烁存储器集成电路芯片(Flash NVM IC)的微结构特征,并从结构角度比较了其与堆叠栅结构Flash IC的性能. 相似文献
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