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1.
从19世纪以来,化学热力学课程内容几乎没有实质性的变化.Onsager和Prigogine发展了热力学并分别在1968和1977年荣获Nobel化学奖.然而,崇尚经典甚至不承认现代热力学的情况依然存在.这在2l世纪科学领域中实为罕见.在1970年前后出现的激活低压人造金刚石新工艺中,石墨腐蚀和金刚石生长可以同时发生的现象,严重困惑了经典热力学.最终导致了非平衡非耗散热力学新领域和全新热力学分类系统的诞生,也使化学热力学真正成为一个自洽的完整学科,全面进入现代热力学的历史发展新阶段.  相似文献   
2.
通过对含有少量氧杂质的四氯化硅氢还原体系的热力学计算,得到Si-HCl-O体系的热力学性质及该体系的热平衡状态随温度和压力变化的规律。同时也讨论了硅表面水汽抛光的热力学性质。计算表明,降低压力至约10~2Pa时,既可降低外延温度,又能抑制含氧杂质对硅外延的不利影响。本文结果对直立密集装片方式的LPCVD型外延实用性的研究也有一定的理论参考价值。  相似文献   
3.
低压化学蒸汽淀积(LPOVD)的三维计算机模拟算式,仅对具有一级化学反应级数的淀积过程,能够给出数学解析解的表示式,而对非一级反应的问题,只能通过数值求解偏微分方程确定片内均匀性.因此,在使用这套算式对淀积薄膜的片内和片间厚度分布进行模拟计算时,由于计算繁琐费时,所需计算机内存量较大,不适于微型计算机的运行和处理.为此,我们参考一维LPCVD 计算机模拟通式导出的基本思想,建立类似文献[1]中的理论模型,即将整个淀积区划分为主气流区(Ⅰ区)和扩散一迁移区(Ⅰ区),进而在圆柱型反应管的轴向和径向,分别引入片间和片内的反应物  相似文献   
4.
在此次工作中,我們試用了三种催化剂:Ⅰ,五氧化二釩沉淀于浮石上,Ⅱ,氧化鋅、氧化鎂、氧化鈣、氫氧化鋁、鉻酸鉀、硫酸鉀的混合物,Ⅲ二氧化錳和氧化鋁的混合物。用空气作氧化剂进行苊的脫氫,不能得到滿意的結果,其中催化剂Ⅰ不适宜于用作脫氫催化剂。用催化剂Ⅱ和Ⅲ在水蒸汽为稀釋剂的情况下,分别进行苊的气相催化脫氫得到比較滿意的結果。在此二种催化剂中以催化剂Ⅲ的結果比較好,最适宜的反应温度是600℃,脫氫产物的产量为90%,用光电比色法测出其中苊烯的含量为96%。  相似文献   
5.
众所周知,相对于二氧化硅说来,由于氮化硅具有很强的对钠离子等可动离子的阻挡能力、针孔少而结构致密、化学稳定性强以及热膨胀系数比二氧化硅更接近于硅等优良特性,已被广泛用于半导体器件的生产中.例如用作钝化膜和用于局部氧化、等平面隔离、  相似文献   
6.
热力学是一门依靠大量科学实验的事实发展起来的近代科学学科.在19世纪经典热力学有过它的辉煌年代,曾经是当时科学发展的一个典范.卡诺定理和由此建立起来的经典热力学第二定律,其正确性不容任何形式的否定.但由于近百年的欠发展,如今热力学成为比较罕见的谬误相对集中的学术领域.当前对卡诺定理和经典热力学第二定律的否定,大体上可以分为两种:一种是比较直接的反对,或声称得到了第二类永动机;另一种是通过篡改或混淆热力学熵函数的定义,或利用根本不存在的"麦克斯韦妖"等(包括声称为"证明热力学第二定律"的形式)来进行否定.为驳斥谬误,通过一种改变内部热容的卡诺热机的详细描述,证明:卡诺定理和经典热力学第二定律不可能也不容否定.同时指明:它们必须正确地加以发展成为扩展卡诺定理和普适化热力学第二定律.  相似文献   
7.
用非平衡热力学耦合模型首次获得了由CH4/CO2体系化学气相淀积金刚石的相图。该相图与用经典平衡热力学得 结果不同,相图中出现了1个金刚石的生长区,相图中的金刚石生长区是实现金刚石气相生长的热力学基础,它的存在体现了超平衡氢原子等激活粒子对石墨的激活和对金刚石的稳定作用。  相似文献   
8.
低压化学汽相淀积法制备的氮化硅薄膜在半导体工业中已有良好的应用效果,促使人们对它进行深入研究.近年来,已对常压CVD法制备的氮化硅做了不少研究,人们发现,氮化硅在空气中易于氧化而在表面形成氧化膜,但氧化机理尚未弄清,为了进一步提高LPCVD氮化硅的钝化效果,并考虑到集成电路中有时要把氮化硅膜表面氧化成SiO_2,制备复合介质膜,作者尝试用XPS,结合Si2p和N1s谱峰随光电子发射角θ关系的测量,研究了室温下空气中氮化硅表面的氧化过程及氧化膜内的组分、化学结构.  相似文献   
9.
低压气相生长人造金刚石的热力学耦合理论模型   总被引:4,自引:0,他引:4  
  相似文献   
10.
近年来LPCVD薄膜技术在半导体工业中,广泛用于制造多晶硅、二氧化硅、氮化硅等不同电学性质的薄膜,并取得显著的经济实效。作者在推导出多晶硅计算机模拟算式的基础  相似文献   
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