排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 78 毫秒
1
1.
2.
针对目前对于半导体光放大器中的超快相位特性缺乏深入的理论分析、相关的物理机制还不清楚的现状,采用数值方式对半导体光放大器中的超快相位特性进行了详细的理论分析与解释.通过分析载流子加热、光谱烧孔等带内超快物理效应与载流子消耗等带间效应对相位贡献的物理机制的不同,并考虑到脉冲能量在相位响应中的作用,研究了半导体光放大器的相位响应特性.在分析相位响应特性的基础上,进一步解释了相位响应与增益响应存在时间延迟的原因,分析结果与已报道的实验测量结果相吻合.理论分析结果能够为超快光信号处理,如光波长、全光逻辑、光波长转换、光分插复用等提供理论指导. 相似文献
3.
采用简易的室温沉淀法制备了一系列羟基氧化铁-碳化硅(FeOOH-SiC)二元复合半导体材料,并对其进行了分析表征。通过紫外可见漫反射光谱和扫描电镜等分析证实体系由两相构成且可见光吸收能力增强显著。罗丹明B(RhB)光芬顿催化降解实验表明:相比两个纯组分,复合体系的催化降解能力有明显提升,其中催化能力最强的样品FS-50在3 h内能降解90%的RhB分子,其表观反应速率常数是纯FeOOH和SiC的5.0倍和13.1倍。复合体系光芬顿活性增强的主要原因可能与相组成合适、可见光吸收能力增强和能带结构匹配有关。根据能带结构的计算结果,提出了一个可能的光芬顿反应机制。 相似文献
1