负衬底偏压增强金刚石核化的机制研究

利用扫描电子显微镜镜研究了热灯丝ＣＶＤ系统负衬底偏压增强金刚石核化的过程，给出了实验结果。着重分析了负衬底偏压增强金刚石核化的机制。     

电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究

由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注.对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目.笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂.对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极.实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线.在栅压2 V时,其跨导约为0.5 mA/V.并对获得的研究结果进行了讨论.     

热灯丝CVD沉积金刚石膜系统中负衬底偏压增强活性离子流量的理论分析

本对热灯丝ＣＶＤ沉积金刚石膜的核化过程进行了分析,从理论上研究了负衬底偏压增强活性离子的流量。     

反应溅射法Cd2SnO4膜光学性质的研究

本文研究了Cd_2SnO_4薄膜某些光学的性质。Cd_2SnO_4薄膜具有许多优异的光电特性,例如它有很低的电阻率,同时又有十分高的光透射率。实验研究表明,Cd_2SnO_4膜的光隙能随着氧浓度降低以及在真空中退火处理后而增加。这是由于简并化的半导体材料中有较大的Burstien-Moss效应所致。     

修饰碳纳米管的电化学性质及应用

采用化学处理的方法实现了使封闭的碳纳米管端头打开并接上羧基官能团，同时用透射电镜显微图和红外谱对羧基修饰碳纳米管进行了表征。用循环伏安法测定了未修饰和修饰了的碳纳米管电极在l mmol／L Fe2 0．2mol／LHClO4中的电化学行为。实验表明，将碳纳米管羧基修饰后电化学性能得到了很大的改善，提高了电化学活性。实验还发现，羧基修饰碳纳米管电极对多巴胺氧化过程有强的催化作用．     

利用声波和地震波识别军事车辆类型

声波和地震波是军事车辆类型识别的重要信息源,针对军事车辆运动时产生的声波和地震波,采用短时傅里叶变换提取其波形数据的频谱特征向量,提出基于能量频谱密度进行二次特征选择,构造声波和地震波频谱特征向量子空间,从而降低了特征向量的维数.应用支持向量机(SVM)和最近邻分类法(KNN)分别对声波和地震波数据来进行军事车辆分类,结果表明:基于能量频谱密度的二次特征选择方法能有效地构造出声波和地震波的特征子空间,由此得到的分类准确率高于传统的特征选择方法.通过比较SVM和KNN的分类结果可以得出SVM的分类效果优于KNN.     

光照对金刚石薄膜压阻效应的影响

分析研究ＣＶＤ方法制备的多晶金刚石薄膜的压阻效应，结果表明光照对金刚石膜的压阻效应有显著的影响，并对所得结果进行了讨论。     

渗硼铁衬底上利用热丝辅助r.f等离子体CVD法生长C-BN薄膜

本文利用热丝辅助射频等离子体CVD法在渗硼铁样品上成功地生长了c—BN薄膜。薄膜的维氏硬度高达4500Kg/mm~2,c—BN膜与Fe衬底的附着力也令人满意。本文还给出了x射线衍射及红外吸收谱测试结果。     

金属球与无限大导体平板系统电容的精确计算

用镜象法求解金属球与无限大导体平板系统的电容。根据数学物理理论,通过配置镜象电荷系列进行求解电容,即在金属球与无限大导体平板系统中配置镜象电荷系列,通过引入叠加系数Cn,2k可以精确确定镜象电荷系列中任意象电荷的位置和电量,并采用计算技术工具软件MATLAB进行运算与作图,精确计算系统的电容。     

高速率生长c-BN薄膜

立方氮化硼(c-BN)类似于金刚石具有许多优异的化学和物理特性,例如它有高硬度(仅次于金刚石)、高热导率、良好的电绝缘性和宽带隙.立方氮化硼的分子结构和金刚石基本上相同,但它有更好的耐氧化性、耐热性和化学稳定性.所以c-BN可广泛用于电子、光学、机械、热沉、光电开关、工具及耐热、耐酸、耐蚀涂层等方面.特别是c-BN和Si单晶之间的晶格失配小于5%,可制备出性能良好的异质外延c-BN,为高温、防辐射和耐腐蚀电子器件的研究