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教育与普及
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1999年
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1
1.
快离子在C
60
薄膜中电子能损效应
总被引:1,自引:0,他引:1
金运范
杨茹
刘昌龙
王衍斌
程松
刘杰
侯明东
姚江东
《科学通报》
1999,44(20):2150-2153
用Raman散射技术分析了171.2MeVS^9+和120keV的H^+离子在C60薄膜中电子能损引起的效应,即晶态→非晶态转变。在H^+离子辐照的情况下,发现电子能损有明显的退火效应,致使C60晶态→非晶态转变过程中,经过一个石墨化的中间过程。而在S^9+离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,不存在石墨化的中间过程。
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