Ti掺杂的n型SiC基复合材料的热电性能

为了合成高热电性能的n型SiC基材料，尝试用过渡塑性相工艺对SiC基复合材料进行了Ti掺杂的实验。当以纳米级SiC为原料，并选择合适的保温时间及温度，室温时功率因子f     

Ba-Y-Cu-Nb-O四元氧化物系90K以上的超导电性

最近,在Ba-Y-Cu-O三元氧化物系中不断发现了90K以上的超导电性。这种三元氧化物系是一种氧缺陷化合物,通常包含有三个或者更多的相。为了得到化学比的或接近化学比的化合物,我们在Ba-Y-Cu-O三元氧化物系中掺入Nb_2O_5来补偿氧空位,从而形成     

用正电子湮没技术研究T_c高超导材料Y-Ba-Cu-O的相变

我们利用正电子湮没率对电子波函数敏感的特点研究了高T_c超导材料Y-Ba-Cu-O在相变温度附近区域的特性。正电子寿命、多普勒增宽线形参数H、S和电阻R的测量同时进行。本工作着重于利用电子密度及其动量的变化探讨高T_c超导材料相变的机制。 测量所用的寿命谱仪为标准的快-快符合系统,其分辨率为270ps;多普勒增宽仪采用液氮冷却下的高纯锗探测器测量;电阻的测量采用通常的四探针法,用镍膜为衬托的Na-22作为正电子源。样品按标准的1:2:3的配比将Y、Ba、Cu氧化物混合后烧制而成。     

碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究

碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;b.Hg-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.