铁电场效应晶体管及其反相器的TCAD模拟研究

以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor, FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻辑功能与存储功能的门电路(Ferroelectric Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, FeCMOS),目前的研究工作还相对较少.用FeCMOS作为铁电存储器的外围读写电路,理论上可以大大增强其抗辐射能力.因此,该文以金属-铁电层-绝缘层-半导体(Metal gate-Ferroelectric layer-Insulation layer-Semiconductor, MFIS)结构的FeFET为研究对象,利用TCAD (Technology Computer Aided Design)软件中的器件电学性能仿真模块,在不同器件参数下对FeFET及其构成的FeCMOS反相器进行了细致的电学性能模拟仿真.     

下一代网络——NGN

下一代网络(NGN)是可以在电信网、计算机网和有线电视网3种互联互通的网络上提供语音、数据、视频的新一代网络，它实现了业务与网络的分离，并采用开放的体系结构，使NGN能够提供丰富的多媒体业务，NGN时代的到来也就成为电信网络发展中的一座重要里程碑。     

压力对亚稳Fe3B相热稳定性的影响

压力对亚稳材料热稳性的影响及其机制的研究一直是高压和亚稳材料研究中的重要内容之一.在过去的十几年中,人们主要研究了压力对非晶亚稳材料热稳性的影响,但对晶体亚稳材料热稳性方面的研究报道却很少.许多研究结果表明,压力对非晶热稳性的影响与材料的性质和转变模式密切相关,影响程度由压力对扩散速率的抑制和对形核的促进作用所决定,它使非晶亚稳材料的热稳性或是增强,或是减弱.然而,在研究高压下(Fe_(0.99),Mo_(0.01))_(78)Si_9B_(13)(FMSB)合金的晶化,制备纳米软磁材料的过程中,我们发现压力对亚稳Fe_3B晶体热稳性的影响与非晶有所不同,与它所受的压力有关,表现为先随压力的增加而增加,后随压力的增加而减小.本文从热力学的角度对这一实验现象的规律和机制进行了研究. 在氩气保护气氛下,利用急冷甩带的方法制备出 30 μm厚的非晶 FMSB条带,并剪成直径为 5 mm的样品放在氮化硼(BN)坩埚中,坩埚镶嵌在石墨加热管中.利用 Bridgmann压机对样品加压,利用电流通过石墨管产生的焦耳热对样品进行热处理.压力通过测量油压与Bi,Ba相变压力的关系标定,温度的测量和控制由镍铬-镍铝热电偶和可编程序温控仪完成.利用X射线衍射仪(XRD)对样品的微观结构进行分析.     

中心势场中粒子运动轨道的研究

在中心势场中粒子运动轨道方程的基础上,进一步讨论粒子轨道的闭合性、稳定性.     

调幅过程的实验观察与研究

一引言在广播,电视,通讯等过程中,为了远距离传送低频信号或视频图象信号,必须把这种频率较低的信号调制到较高频率的载波信号上,经过放大等,再由天线发射出去。调制的方式有调幅,调频,调相等三种。目前用得较广泛的是调幅和调频。调幅制虽用得很广泛,其技术也较成熟,但是调幅制在高等院校有关专业的电子技术课程的讲授中,往往只有数学推导和理论性的分析,而实验观察与研究却很少。在大部分高等师范院校物理系的电子技术实     

社区信息化新模式探索——以北京市海淀区北下关街道为例

"惠民"、"强政"、"兴业",是信息化的意义所在,目标所在."强政"主要通过政务信息化来实现,政务信息化即电子政务,也就是说,推行电子政务有助于"强政".同理,推行电子政务有助于"兴业".那么采取什么信息化手段才能"惠民"呢?答案是推行电子社区,也可以说是社区信息化.     

开区间连续函数的最大(小)值

本文将微积分中闭区间连续函数最大(小)定理推广到开区间内连续函数,在一定条件下证明了在开区间内连续函数最大(小)值的存在性,并在此基础上给出了一个求开区间内连续函数最大(小)值的一般方法.     

蓝色的布哈拉

在这座中亚最古老的城市里,市民们坚信自己城市的历史超过3000年。在它地下20米的纵深范围内,埋藏着不同时期的大量文物和古迹;地面上则分布着170多座中世纪以来各种风格的伊斯兰建筑。     

仿生破壁蜂花粉的蜂疗养生作用

浓缩的营养库 　　仿生破壁蜂花粉富含蛋白质、花粉多糖、不饱和脂肪酸、21种氨基酸、11种维生素、14种矿物质、多种微量元素,含有94种活性酶、辅酶、酵素、生物生长调节素、原花青素、芸香甙、黄酮色素、核酸、多肽、卵磷酯、油菜素内酯、细胞分裂素、类胰岛素类物质、激素样物质、类抗菌素等100种以上的益康物质.……