In1-xGaxAsyP1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5μm的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度C_p(Z)随深度Z的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.     

单模光纤—LiNbO3波导器件之间耦合损耗的研究

研究了单模光纤－波导之间的模场失配对光纤－波导对接耦合损耗的影响．实验测量了不同Ｔｉ膜宽度的ＬｉＮｂＯ＿３条波导的导模宽度和深度．适当选择波导制作参数可得到非常小的光纤－波导之间的耦合损耗．     

高速时分复用光开关阵列的研制

高速时分复用光开关阵列的研制龚小成，沈启舜，瞿文詠（应用物理系）由于光纤的带宽远比光发送及接收设备的带宽为宽，因而在同一光纤上多路复用势在必行．多路复用在数字光通信中一般为时分多路复用，也就是说，在光发送端用时分复接器把若干路数字通信复接成群沿光纤传...     

定向耦合器型4×4光波导开关陈列的研制

LiNbO_3光波导开关陈列是宽带光通信中重要的元器件之一.作者设计并制作了采用阶跃△β方法调制有5个定向耦合器构成的4×4光波导开关陈列.器件性能为插入损耗:-10dB左右,串话:-20dB左右,驱动电压:15V左右,开关响应时间:<1.4ns,工作波长为1.3μm.