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1
1.
硅全离子注入的GaAs双栅MESFET
王渭源
卢建国
乔墉
周永泉
夏冠群
邵永富
杨新民
陈自姚
罗潮渭
詹千宝
王文骐
《应用科学学报》
1983,1(4):361-368
本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10
12
cm
-2
,接触层注入条件为50keV、8×10
12
cm
-2
,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300
μ
m,Au-Ge-Ni为欧姆接触.
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