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该文用第一性原理方法对α相碲烯的电子能带和光学性质进行了研究．通过GW方法考虑了多体效应对能带的影响，通过求解Bethe Salpeter方程(BSE)，考虑了电子空穴相互作用对光谱的影响．基于密度泛函的计算发现α相碲烯是具有间接带隙的半导体．考虑自旋轨道耦合后，它的带隙明显减小，且由间接带隙转化为准直接带隙．采用GW方法后，发现带隙值显著增大，这说明在碲烯中存在强的多体相互作用．在GW计算的基础上，求解了BSE方程，发现在不同k点网格密度情况下，光吸收谱中的激子峰的能量都明显比能带的直接带隙小，说明碲烯中有明显的激子效应．用BSE计算光谱时，我们还发现k网格点需要足够接近直接带隙最小处的k点才能得到正确的光谱． 相似文献
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