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在3种方案下考虑夸克质量改变对正负电子湮灭中双粲夸克对的单举过程的影响.第一种方案,选取固定长程矩阵元;第二种方案,采用线性势模型计算长程矩阵元;第三种方案,由实验抽取长程矩阵元.发现随夸克质量的减小,单举过程的截面有显著增大. 相似文献
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实验观测到J/ψηc的产生截面是33fb,而在NRQCD框架下的理论计算只有5.5fb.为解决理论与实验的尖锐矛盾,考虑e e-→2γ*→J/ψ J/ψ过程的相对论修正,发现相对论修正使产生截面提高22%. 相似文献
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利用不变本征算符法研究了不同耦合摆系统的角频率及其对应的简正坐标.耦合摆系统的不变本证算符其物理实质是耦合力学系统的简正坐标.利用量子力学中的不变本征算符法可以非常简便地解决耦合摆系统的简正模及其对应的角频率.以二维耦合摆系统和三维耦合摆系统为例利用不变本征算符法解决了该系统的角频率及其对应的简正坐标. 相似文献
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叙述了有关"鬼"成像和"鬼"干涉起源的两个重要实验,并对近十年中"鬼"成像和"鬼"干涉问题的发展现状及其应用给予简单的介绍. 相似文献
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在3种方案下考虑夸克质量改变对正负电子湮灭中双粲夸克对的单举过程和遍举产生的影响.第一种方案,选取固定长程矩阵元;第二种方案,采用线性势模型计算长程矩阵元;第三种方案,由实验抽取长程矩阵元.我们发现在第一种方案下,夸克质量改变对单举过程和遍举过程的产生截面都有显著影响.当夸克质量取1.0 GeV时,单举过程的领头阶计算可以与实验值符合得很好.但两者比值随夸克质量减小与实验值的偏差变大.在第二种方案和第三种方案下,随夸克质量的减小,虽然单举过程的截面有显著增大,但遍举过程的截面随夸克质量的减小而减小. 相似文献
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以量子化学半经验方法AM1优化构型为基础,利用ZINDO/CI方法研究了两种带有不同取代基的席夫碱分子的电子光谱,同时利用ZINDO/CI-SOS程序计算了它们的二阶非线性光学系数β值,从而探索分子结构与电子光谱及非线性光学性质的关系.理论计算结果表明:在给体受体基团嵌入席夫碱后,其二阶非线性光学系数增大.与席夫碱共轭分子的比较表明,引入给体受体基团的体系有很好的二阶非线性光学性质,可能成为较好的光学材料. 相似文献