单层有机发光二极管中电场与载流子密度的分布

建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。     

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.     

聚合物发光二极管的研究进展

对共轭聚合物中进行电运输及电致发光器件－聚合物发光二极管的研究进展进行了综述。     

空穴传输层厚度对双层有机发光二极管性能的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型。基于ITOlPEDOT／PSS作为空穴注入电极的双层有机发光器件ITOlPEDOT/PSSlTAPBlALq3LMg：Agl，采用较合理的无序跳跃模型来处理界面问题，数值计算并讨论了空穴传输层厚度的变化对器件性能的影响。结果表明：器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布，从而影响载流子的注入、传输和有效复合，     

单层聚对苯乙炔薄膜器件载流子的注入和传输

从实验事实出发 ,根据不同注入情形分析了载流子的注入和传输 ,数值计算了载流子注入时的电流 ,阐述了各种因素对所注入电流的影响 ,简单地介绍了所注入的载流子在输运过程中 ,其密度在各种注入情形下随聚对苯乙炔 ( PPV)薄膜厚度相应变化的大致图形     

电致发光有机薄膜中空间电荷对载流子密度的影响

通过对有机半导体发光器件(ITO/PPV/AL)中载流子传输特性的研究,分析了空间电荷对器件中电流的影响,对电流密度J与薄膜厚度d的关系进行了分析,并讨论了获得较高的电致发光效率所用的薄膜的厚度变化范围和掺杂的影响．     

聚合物电致发光二极管发光层中的电场分布

以单层聚对苯乙炔（PPV）薄膜发光二极管为例,研究其薄膜中的电场分布,探讨其电场分布对载流子注入、输运和复合的影响,研究结果有助于揭示其发光机理,为提高发光效率提供了有益的启示。     

高场下界面势垒对单层有机EL器件复合发光的影响

在Fowler-Nordherim的隧穿理论基础上,建立了高场下单层有机EL器件复合发光的理论模型,讨论了电场强度以及界面势垒对单层有机EL器件发光的影响。     

含共轭三键的聚合物的掺杂机理和导电特性的研究

以聚丁（对甲苯硫酸）－２,４－己炔－１,６－二醇酯（ＰＤＡ－ＴＳ）为例,探讨了含共轭三键的聚合物的掺杂和导电特性的研究,对其微观掺杂机制,在比较现有的掺杂模型的基础上,提出了新的掺杂模型。     

输运层对双层器件电致发光效率的影响

建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理,并详细讨论了输运层势垒及外加电压对器件复合效率的影响.结果表明:双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层(输运层)中的复合发光,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大,且阴极区(阳极区)的势垒宽度双势垒高度对其影响更大;同时也可看到电场对复合区域具有调制作用.