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1.
~~Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响@朱骏$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @毛翔宇$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @卢网平$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @惠荣$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陆文峰$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陈小兵$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002~~~~~~~~  相似文献   
2.
La1—xCaxMnO3多晶材料的巨磁阻特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用传统的电子陶瓷工艺制备了La1-xCaxMnO3(x=0.15,0.3,0.4,0.5,0.67,0.7)的系列多晶样品,测量了样品的直流电阻率随温度(4 ̄300K)、磁场的变化(0 ̄8T)。结果表明:x=0.3的样品具有最好的磁阻效应,x=0.15,0.67的样品在测量范围内没有巨磁阻效应,但x=0.7的样品出现较弱的巨磁阻效应,其金属-半导体转变温度为105K。  相似文献   
3.
采用传统的固相烧结工艺制备出Bi5Fe0.7Ni0.3Ti3O15(BFNT)多铁陶瓷样品,研究镍离子基团的植入对材料的微观结构、磁性能和电性能的影响.X射线衍射谱显示BFNT样品的4层Aurivillius相已形成.室温下,BFNT样品具有铁磁性,其剩余磁化(2Mr)和矫顽场(2Hc)分别为0.086 A.m2.kg-1和18.5 kA.m-1.样品磁性的增强可能来源于局域的Fe—O—Ni的耦合.介电温度谱的测试结果表明:与Bi5FeTi3O15(BFTO)比较,BFNT的铁电相变温度降低,低温段的介电峰具有明显的弛豫特征,该弛豫可能与磁有关.室温下,当外加电场为24.5 MV.m-1时,样品的剩余极化(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为0.069 C.m-2和14.3 MV.m-1.  相似文献   
4.
讨论了氮化硼(BN)掺杂对(Ba,Pb)TiO3热敏陶瓷的热学性能、电学性能及晶粒尺寸的影响,指出了传统的PTC陶瓷电阻达到最大值后下降较快的原因,在BaTiO3中掺入BN,样品的相变点发生了变化,并使样品中晶界变宽,晶粒变得均匀,这可改善BaTiO3样品的高温相电阻随温度升高而快速下降的性能。  相似文献   
5.
Nd掺杂BiFeO3多铁陶瓷的磁电性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用快速液相烧结工艺制备出Bi1-xNdxFeO3(BNFO-x,x=0.00~0.20)多铁陶瓷样品,研究了掺杂对BiFeO3微观结构和铁电、磁电及介电性能的影响.X射线衍射谱显示样品BiFeO3的相均已形成,且在掺杂量x=0.10附近出现结构相变.掺杂后样品的剩余磁化(2Mr)和剩余极化(2Pr)都有一定程度的提高,以铁电性能改善最为明显.当掺杂量x=0.10时,样品的耐压性能最好,可观察到完全饱和的电滞回线,且剩余极化达到最大值, 2Pr=0.494 C·m-2,比未掺杂时提高了117.6%. 随着Nd的掺杂,样品介电常数随温度变化的关系曲线在尼尔温度之前179℃附近多出一个介电峰,但是在BiFeO3样品中并未发现该介电峰.  相似文献   
6.
将355 nm光通过单一的X e或者X e-A r混合气体介质产生118 nm辐射,记录不同气体压力下光激励丙酮光解的质谱图,通过监控丙酮分子离子峰(m/z=58)的强度来掌控118 nm光的产生效率.结果表明:在实验光学器件、激光光强相同的条件下,混合气体介质中三倍频辐射产生效率比单一气体中强.当混合气体中A r气体压力保持在1.000 kPa,p(X e)¨p(A r)=5.6时,产生的118 nm辐射最强,实现了该实验条件下倍频产生最佳的相位匹配.  相似文献   
7.
采用固相烧结工艺制备了LaxBi1-xFe0.5Co0.5O3(BLFCO-x,x=0.00,0.05,0.15,0.30)陶瓷样品,研究了La掺杂对BiFe0.5Co0.5O3陶瓷结构、漏电流、磁性能以及介电性能的影响.X射线衍射测试结果显示,BLFCO-x样品基本形成了BFCO的相,但随着La的掺杂,晶格常数发生改变,结构向四方相转变.少量La离子的掺入降低了BFCO的漏电流.在常温下,随着La离子浓度的增大,BLFCO-x样品的磁性逐渐下降.样品的变温介电结果表明,当La离子浓度较小时,存在两个介电峰,但La离子浓度较大时,呈现单一介电峰.  相似文献   
8.
将Ar(95%)-SH4(2.5%)-D2(2.5%)混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀(PCVD)方法制备α-Si:D/H薄膜,采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数,红外照相方法测量了反应腔壁温度,结果表明,基片支架对反应腔的等离子体有干扰,反应腔壁温度分布不均匀;基片温度高的区域薄膜沉淀速度大;加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。  相似文献   
9.
用传统的固相烧结工艺制备了Sr2-xCaxBi4Ti5O18(x=0~2.0),Sr2Bi4Ti5O18和Sr2-xBaxBi4Ti5O18(x=0~2.0)陶瓷样品.掺杂Ca使晶格常数变小,而Ba占据A位使晶格常数变大.Sr2Bi4Ti5O18具有良好的铁电性能,其剩余极化值(2Pr)约为20.3μC/cm2,小量掺杂Ca可小幅度地提高样品的铁电性能,但Ca完全取代Sr后使样品的铁电性能消失.Sr2-xBaxBi4Ti5O18样品的2Pr随着x的增大而减小,BaBi4Ti5O18样品2Pr在常温下仅为0.3μC/cm2.Sr2-xCaxBi4Ti5O18的相变温度(Tc)随着x的增大而升高,Sr2-xBaxBi4Ti5O18的Tc随着x的增大,先出现了下降后上升的变化过程,Sr1.25Ba0.75Bi4Ti5O18样品的介电结果表现出典型弛豫特征.  相似文献   
10.
采用机械合金化的方法,制备了Fe69.5Cu1.5V7Si12B8Al2纳米合金样品。研究了球磨时间对样品非晶化程度的影响,并测量了这些样品压结体的高频特性。结果发现,球磨可形成合金化,随球磨时间的增加,样品的非晶化逐渐加强。当球磨超过一定时间后,出现新的相,引起样品磁特性的变化。复数磁导率实部μ1随球磨时间t的增加而增大,超过72h后,μ1开始下降。在4-13MHz范围内,μ1值随频率f的变化不大。损耗角正切tgδ随t的增加而减小。  相似文献   
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