铁电场效应晶体管及其反相器的TCAD模拟研究

以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor, FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻辑功能与存储功能的门电路(Ferroelectric Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, FeCMOS),目前的研究工作还相对较少.用FeCMOS作为铁电存储器的外围读写电路,理论上可以大大增强其抗辐射能力.因此,该文以金属-铁电层-绝缘层-半导体(Metal gate-Ferroelectric layer-Insulation layer-Semiconductor, MFIS)结构的FeFET为研究对象,利用TCAD (Technology Computer Aided Design)软件中的器件电学性能仿真模块,在不同器件参数下对FeFET及其构成的FeCMOS反相器进行了细致的电学性能模拟仿真.     

基于经验模态分解结合傅氏变换与Wigner分布的Mel频率倒谱系数提取

根据语音信号的非平稳特点,用经验模态分解方法把语音信号分解成一系列固有模态函数(Intrinsic Mode Function,IMF),一个IMF只含有语音信号的一部分信息,不同IMF分量携带的特征信息不同,对这些IMFs进行加权处理,得到新的语音,再对其进行后续处理.Wigner-Ville分布能精确地定位信号的时频结构,而传统傅氏变换不能反映信号的瞬时变化情况,但多分量信号的Wigner-Ville分布受困于交叉项的干扰,因此利用Wigner-Ville分布的优点,采用Wigner-Ville谱与傅氏谱结合来代替单独的傅氏谱作为每帧的特征,进行Mel频率倒谱系数(Mel Frequency Cepstrum Coefficient,MFCC)提取.实验表明,经改进后的MFCC参数较传统的MFCC参数应用于说话人识别系统,识别率有较大提升,且鲁棒性较好.