电磁场理论中的几何化·数论消发散方法(IV)──双圆杆和双椭圆杆内导体电容系数的数值结果

该文是ＧＮＥＳ方法在微波定向藕合器电容系数计算中的具体应用，讨论了系数矩阵元的高精密计算和线性方程组维数的选择，分析了主要误差来源，具体计算双圆杆内导体在对称和非对称两种情况下的电容系数，并与零级近似下得到的柱对称模型的解析解作了比较。文中还考察了电容系数随各个几何参数改变的情况，并作了定性解释，最后绘出双椭圆杆内导体的电容系数结果。     

基于弱值放大的量子精密测量的评估分析

针对弱值放大方案与常规方案相比是否具有优越性这一颇具争议问题，本文对不同情况做了探讨和澄清．利用Fisher信息，分别刻画了meter态为高斯型波函数及光学相干态的计量精度，指出高斯型meter态在弱值放大测量中所包含的Fisher信息最多只能达到与常规标准测量相同的结果；而利用光学相干态作为meter态，基于光子数测量提取编码在相位移动相干态中的Fisher信息，弱值放大测量技术可以明显优于标准测量方案．      

水稻光敏与温敏核不育基因之间互作效应与利用研究

选育不育期败育彻底、不育性稳定的光、温敏不育系是目前两系法杂交稻制种安全可靠的重要保证.本研究利用光敏不育系7001S与安全型温敏不育系广博S,广培S杂交,将农垦58S光敏不育基因与安农S温敏不育基因重组在一起.进行了重组体的不育性和不育稳定性研究.安农S核不育基因使得重组型光敏不育系的不育性变得非常稳定,不同来源的重组型光敏不育系互交杂种F2代光敏不育株率达70%以上,容易从中筛选到不育起点温度低的重组型光敏不育系.将光敏不育基因回交转移到广博S和广培S中,得到与广博S或广培S相似的重组型光敏不育系光广博S,光广培S,其不育起点温度提高.用光广博S(或光广培S)为父本与广博S(或广培S)杂交产生了不育起点温度极低的温敏不育F1代;用广博S与其重组型温敏不育近等基因系光温广博S杂交,其F1代不育起点温度也很低.研究表明,光敏不育基因与温敏不育基因重组,能够解决光敏不育系难获得和败育不彻底的问题;短日高温下,光敏不育性对温敏不育性表现上位作用;控制农垦58S不育类型不育起点温度表达的遗传因子与安农S不育类型的很可能不同,建立安全型温敏不育系的带有光敏不育基因的近等基因系(重组型光敏不育系或者重组型光温敏不育系),用其作为父本与安全型温敏不育系杂交,其F1代可代替安全型温敏不育系用于生产.     

电磁场理论中几何化、数论消发散方法(Ⅲ)——对称分析及柱对称模型电容系数解析式

该文对GNES方法中出现的各种对称性作了系统的分析,并指出当同时具有上下、左右对称的组态,需独立计算的矩阵元数目可以减至原来的1/8.该文同时给出柱对称模型定向耦合器的电容系数的严格解析式 ,它可作为GNES方法的初级近似和数值核对基准.     

奇异量子弱值的物理根源?

对量子弱值这一重要而又备受争议的量子物理概念,提供了一个简明、直接的理解方法,澄清了引起量子弱值异常的物理根源。我们的分析以施特恩-盖拉赫装置在量子贝叶斯框架下得到的严格结果为数学基础.我们还特别对一项近期工作引起的混乱做出了澄清.该工作声称,奇异弱值可以由数据统计引起,而非量子物理特有的本质.     

基因转化创造植物杂种优势利用新方式的途径分析

普通核雄性不育性遗传方式能够满足对植物最佳雄性不育系选育的要求,如果能解决其不育系繁殖问题,将优于现有的其他杂种优势利用方式。借助基因工程技术,通过质体转化、位点特异性重组技术和特殊启动子的利用,操控可育基因和不育基因的表达,可能繁殖出100%不育株率的普通核雄性不育系,创造出普通核雄性不育性利用新途径。