辐照对Bi/Er/La共掺有源光纤磁光特性的影响

针对标准单模石英光纤磁光特性弱的特点,利用改进化学气相沉积(modified chemical vapor deposition,MCVD)法结合原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术制备了 Bi/Er/La共掺有源光纤,并且用伽马射线辐照对该光纤进一步处理;搭建了光纤的费尔德常数测试...     

辐照对Bi/Er/La共掺有源光纤磁光特性的影响

针对标准单模石英光纤磁光特性弱的特点,利用改进化学气相沉积（modifiedchemical vapor deposition,MCVD）法结合原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）技术制备了Bi/Er/La共掺有源光纤,并且用伽马射线辐照对该光纤进一步处理;搭建了光纤的费尔德常数测试系统,研究辐照前后Bi/Er/La共掺有源光纤的磁光特性。实验结果表明：在波长为1 310 nm处,Bi/Er/La共掺有源光纤的费尔德常数（1.02 rad/（T · m））比单模光纤（0.76 rad/（T · m））高约36.2%。经伽马射线辐照后,Bi/Er/La共掺有源光纤的费尔德常数随着辐照剂量的增加而增大,经3.0 kGy剂量处理后,其费尔德常数增加了54.90%,而单模光纤的费尔德常数仅增加了26.3%,且在1.0 kGy辐照处理已达到饱和。