直热式烧结型气敏电阻振荡周期的计算

对合足够ＣＯ的空气中直热式烧结型气敏电阻的振荡现象进行了分析．结果表明，振荡周期及振荡幅度与ＣＯ浓度、热丝加热功率等因素有关，     

非放射性红色荧光粉的合成和发光

本文采用特殊的灼烧工艺，在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉，用365nm紫餐光激发，测试了样品的发光特性，其实验结果表明，SrS,Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x＝0.620,y＝0.375，余辉时间为3h，采用半导体平面工艺技术进行SiO2包膜，改善了荧光粉的稳定性。     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用PECVD方法制备Fe2O3／SnO2双层气敏薄膜，利用浸渍方法对稀土元素（La，Nd，Sm，Er，Yb）与铝配制的乳浊液进行表面修饰．测试结果表明，修饰后的双层薄膜对乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

GaAs中准分子激光诱导掺Zn和Si的研究

本文报导了用XeCl激光器实现向半绝缘GaAs衬底掺Zn的实验结果,给出了Zn原子的纵向分布以及掺杂后方块电阻与激光脉冲次数的关系曲线,同时在相同衬底上采用气体源进行了掺Si实验研究.     

薄膜的表面修饰对气体敏感特性的影响

采用ＰＥＣＶＤ方法制备了氧化物薄膜，为了改善气体敏感特性将几种元素覆盖于薄膜表面进行了表面修饰。     

用WOCl_4制备WO_3薄膜

在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无定形结构．在４００℃以上退火处理，由无定形转变为结晶形．并具有电致变色特性．     

非放射性红色荧光粉的合成和发光

本文采用特殊的灼烧工艺,在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉.用365nm紫外光激发,测试了样品的发光特性,其实验结果表明,SrS:Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x=0.620,y=0.375,余辉时间为3h.采用半导体平面工艺技术进行SiO_2包膜,改善了荧光粉的稳定性.     

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．     

溶胶-凝胶法制备复合钒钼酸干凝胶薄膜及表征

利用无机溶胶—凝胶法制备复合钒钼酸H