热氮化二氧化硅膜的研究

用氨气对热生长的二氧化硅膜进行了氮化处理,测试了膜的电学特性,并研究了工艺对它们的影响。实验发现,热氮化二氧化硅膜兼有二氧化硅与氮化硅膜的优点,而且界面电荷在较大范围内具有可控的特点。用AES表面分析技术研究了热氮化二氧化硅膜的结构。还探讨了二氧化硅膜热氮化的机理。     

用椭圆偏振仪测量50以内硅上的超簿氧化层厚度

本文提出了用椭圆偏振仪测量硅上超薄氧化层厚度的方法。用俄歇电子能谱法研究了8A到38A厚的氧化层的组分,从而估计它们的折射率。并用计算机计算了O～50A厚的氧化层所对应的椭偏参数。目前用该方法测得的硅上最薄的氧化层厚为6A,并取得较好的重复性。     

热氮化SiO2膜的抗辐射特性

离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.近来,Ito等人提出,将SiO_2膜在无水氨气中加热处理一定时间,能直接转变为氮氧化硅,称为热氨化二氧化硅.它与热生长的SiO_2膜相比,具有较高的击穿电场强度和介电常数,较好的抗氧化能力和抗沾污性能.但是,对热氮化SiO_2膜的抗辐射特性的研究报道不多.仅Naiman等人作了一些研究.在他们的实验中,把10nm厚的热氮化SiO_2膜与50nm厚的SiO_2膜作了比较,这不能说明前者的抗辐射特性比后者的好.     

硅各向异性腐蚀对偏压依赖和重掺杂停蚀机理的新模型

系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式.