掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。     

异佛尔酮二异氰酸酯与聚乙二醇的反应动力学研究

采用~(13)C-NMR及二正丁胺滴定法研究了端羟基聚乙二醇(PEG)与异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)之间反应的动力学特征,发现在三苯基铋(TPB)的催化下,对[NCO]是零级反应,即反应与IPDI分子上两个-NCO基团的活性无关,当以二月桂酸二丁基锡(DBTDL)为催化剂时,对[NCO]为二级反应,而且与异佛尔酮脂环的碳原子相连的-NCO表现较强的反应能力.采用DBTDL与TPB混合催化时,反应表现为二者的加和作用,混合催化剂的应用有利于前期反应的加速和后期反应的完善,提出了不同反应条件下的反应机理。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

掺Er的In1—xGaxP的光致发光性能

金属有机化学气相淀积用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１ｘＧａｘＰ外延层。低温下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０－０．９８，发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一上强光致发光峰，与合金成分无关，２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ＾３＋离子的光致发光特征峰，发光强度明显降低。     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。     

夸克模型理论中强子的波函数

本文从强子结构的夸克模型理论出发,根据夸克的性质,ＳＵ（３）群对称理论对强子的分类,以及强子的色,自旋,同位旋等特征,考虑泡利原理等构造出由自旋,同位旋波函数,色波函数和空间波函烽的乘积表示的重子介子的基态波函数。     

稀土络合催化剂的π-丁稀基络合物NMR研究

人们早已成功地合成了3d过渡金属π-烯丙基型络合物,并应用于共轭双烯烃的催化聚合,但4f过渡金属π-烯丙基络合物迄今尚未得到,也未获得它的有关结构信息。用π-烯丙基络合物作为络合催化剂的模型研究络合催化剂结构和聚合机理已经取得了进展。在研究4f过渡金属络合催化剂时,根据实验结果曾提出聚合反应按π-烯丙基机理进行的可能性,但直接的实验证据至今尚未见文献报道。     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

GaAs／GaAlAs锁相阵列激光器的研制

用液相外延工艺，光刻工艺，质子轰击工艺研制了GaAs/GaAlAs锁相阵列激光器，该器件是由四个不同条宽激光器组成，它们的条宽是从3um线性地变化到6um，相邻激光器的间距保持常数为5um,，其间的隔离是通过质子轰击实现的，观察到远场为单瓣，平行于p-n结平面发散角（11）为3．13度，接近于理论计算的衍射极限角为3度，器件的脉冲光输出功率为120mw/facet。     

用热分析方法研究磷酸双胍对杨木的阻燃性能

本文用热分析方法研究磷酸双胍对杨木的阻燃性能。测得经磷酸双胍处理的杨木和未经处理的杨木的热重分析曲线和差热扫描量热曲线，获得杨木的燃烧分为两个阶段：即有焰燃烧和无焰燃烧。理论计算表明经磷酸双胍处理的杨木与未经处理的杨木相比，活化能提高了一倍，有焰燃烧时放出的热量降低了三分之一，而且燃烧缓慢，因此，磷酸双胍是一种较好的阻燃剂，与用氧指数得到的结论是一致的，另外，对于研究阻燃剂性能，热分析方法是一种非