双势垒结构Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道结的发光效应

制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道发光结,与普通单势垒Al-Al2O3-Au隧道结相比,其发光效率(10-6～10-5)提高了近一个量级,发光稳定性及耐压性都有所提高.其光谱波长范围(250～700 nm)及谱峰主峰(460 nm)均较Al-Al2O3-Au结向短波长方向移动,这与双势垒的引入及势垒中分立能级的产生而形成的电子共振隧穿使表面等离极化激元的激发增强有关.     

PbSrTiO3铁电薄膜隧道结的I-V特性

报道了对用射频磁控溅射法制备的钛酸锶铅(PST)薄膜隧道结进行的I-V特性的测量,发现有负阻现象,并首次用表面等离激元和极化波理论对此作了解释.     

利用分子轨道理论对MIM隧道结负阻特性的讨论

首次从轨道杂化的角度探讨了MIM隧道结负阻特性的成因,结合化学上的计算,并与实际测量结果进行对比分析,提出了MIM隧道结负阻特性的理论解释.