基于GaAs pHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC

基于0.15μm GaAs pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺，研制了一款6位数字移相器微波单片集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC）.该移相器由六个基本移相位级联组成，工作频带为10～18 GHz，步进值为5.625°，移相范围为0～360°，具有64个移相态.根据最优拓扑选择理论，5.625°，11.25°，22.5°移相位采用桥T型结构，降低了移相器的插损及面积；采用开关型高低通滤波器结构实现45°，90°，180°移相位，提高了大移相位的移相精度，并有效降低了寄生调幅.实测结果表明：64态移相寄生调幅均方根误差小于0.6 dB，移相输入输出回波损耗低于-11 dB，移相均方根误差小于4.2°，基态插入损耗低于8.6 dB.芯片尺寸为3.35 mm×1.40 mm.该数字移相器具有宽频带、高移相精度、尺寸小的特点，主要用于微波相控阵T/R组件、无线通信等领域.     

提高大学物理教学效果的思考

<正>1多媒体教学中更多地融合传统教学的优势目前多媒体教学在各大学基本都处于绝对主导地位.不可否认,在某些方面多媒体教学具有传统教学无可比拟的优势,特别是用各种图形和动画形象地讲解抽象的物理概念,用多媒体逼真地演示一些教学实验等.但多媒体也有其自身的缺点,     

电磁场与电磁波课堂教学融入科研内容的实践

电磁场与电磁波教材中讲授的都是不携有轨道角动量的传统意义上的电磁波,而携有轨道角动量的涡旋电磁波是当今研究热点.涡旋电磁波能实现在一个频带内传输多路信息,在不增加系统带宽的条件下极大程度地提高系统容量.在传统电磁场与电磁波课堂教学中融入涡旋电磁波科研内容,提高了教学的广度和深度,能够激发学生的求知欲,培养学生的科研思维.