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本文主要讨论了冠醚络合钠离子的机理,提出偶极子模型,对冠醚的有效络合范围作了初步的分析和估算。按新的改进方案对两种MOS结构进行了实验.实验结果表明:钠离子面密度可降半个——一个数量级. 相似文献
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详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψs-VG关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段. 相似文献
3.
吴应前 《四川大学学报(自然科学版)》1991,28(4):479-484
分析了准静态法的局限性,描述了杂质分布确定、高频C—V测量与数值计算三结合的测定方法.讨论了泊松方程的数值解,推导了非均匀结点下的迭代公式,给出了边界条件的恰当形式. 相似文献
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