0.15～2.00MeV质子在硼上的160°散射截面测量

采用相对测量法对能量０．１５～２．００ＭｅＶ质子在天然硼上的非卢瑟福弹性背散射截面（１６０°背散射角）进行了测量．质子束由本单位引进的２×１．７ＭＶ串列加速器提供；测量仪器采用ＯＲＴＥＣ公司金硅面垒探测能谱仪．实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区，测量结果用图表形式给出，并与以前发表的结果进行了比较．所测数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考．     

用于串列加速器的微团簇离子源研究

设计，安装调试了一台微团簇离子源，其原理是气体放电与磁控溅射相结合产生溅射粒子，溅射产生的粒子经过一低真空区时，经历液氮冷凝和复杂的磁撞，形成微团簇离子，后经高压电场引出，测得离子混合束的总强度，微团簇离子束经一分析磁场，得到C^ n和Al^2 n的质谱，并对实验的结果进行了分析讨论。     

铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n~-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用AFM分析表明:当V_α(?)3kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随V_α增加,粗糙度减小。用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当V_α(?)3kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当V_α(?)5kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压V_α的增加而减小。     

氟离子辐照对聚四氟乙烯基底上金属薄膜附着力的影响

用6 MeV的氟离子对淀积在聚四氟乙烯基底上的In、Sn、Al、Cu、Pd和Ni等金属薄膜进行了一定剂量范围的辐照,测定了发生增强附着效应的阈剂量值.结果表明,阈剂量的大小和膜材料的弹性模量及电子阻止本领有关.据此提出了一个增强附着效应起因于膜内应力变化的假设.应用这一假设解释了一些与增强附着效应相关的现象.     

环鄱阳湖城市群林业规划探讨

通过对环鄱阳湖城市群的现状论述，分析了对其进行林业规划的必要性，提出了环鄱阳湖城市群林业规划的基本原则。并根据此原则提出了相应的整体布局和规划思路。