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利用Ｎｉ金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法制备ｐ－Ｓｉ薄膜ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ光谱研究结果表明,ａ－Ｓｉ／Ｎｉ经４４０℃２ｈ以上退火处理后,形成多晶相结构用ＳＥＭ,ＸＰＳ等分析手段对薄膜的结构进行分析,并对金属Ｎｉ诱导晶化的机理进行简要的探讨。 相似文献
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