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1.
文章利用有损匹配的方法设计了一种覆盖X、Ku波段的宽带低噪声放大器,其工作频率为8~18 GHz,带内功率增益大于32 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-7 dB,噪声系数小于2.8 dB,最大输出功率为16 dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.  相似文献   
2.
采用真空蒸镀和磁控溅射等工艺,利用纯度为99.995%的有机材料酞菁铜(简称CuPc),试制了Cu/CuPc/AI/CuPc/Cu5层结构的有机静电感应三极管。在室温下测试栅极Al/CuPc的肖特基势垒特性,发现它具有良好的整流特性;通过对该三极管特性进行测试研究,结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和I-V特性,且其工作特性依赖于铝栅极的电压。  相似文献   
3.
在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.  相似文献   
4.
设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管(FFET),并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和极化后,Ps/Pr值增加,Id增大.FFET可以在特定极化电压(Vp=1.5 V)极化后,实现漏极电流的稳定输出,减小了Ps/Pr变化对FFET器件性能的影响.该漏极电流稳定输出时的极化电压值受到矫顽场Ec的影响,且Vp随Ec的减小而降低.  相似文献   
5.
晶体管二次击穿特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义.  相似文献   
6.
通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.  相似文献   
7.
在文「1」的基础上,讨论了单电子晶体管在两态情况下,的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系,从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论:信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制,通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。  相似文献   
8.
提出一种IC芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法。采取GP模型建立双向目标函数进行全局优化提取,分1级和2级参数两层处理.1级参数系提取IC设计中各管的共同参数,2级参烽则为提取与各个管的结构和尺寸相关的特定参数,尽管提取对象只是样管,但可以由模型内在关系通过程序计算出各管的特定参数,从而保证了电路模拟所需输入参数的真实性。  相似文献   
9.
10.
This paper points out an error in the principle figure and the waveform figure of the thermal resistance standard IEC747-7, which describes the relation between the I-V curves and the temperature. It theoretically proves that the I-V-T curve of the standard contradicts the physical law. This contradiction is also revealed by experimental results. Finally, the correct I-V-T characteristic curve and the waveform figure at two different temperatures for the same transistor is given, which serves as the reference to correct the standard.  相似文献   
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