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1.
本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。  相似文献   
2.
在nW-μW光功率下测试高增益穿通型AlGaAs/GaAs光电晶体管的直流参数,光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为830nm的AlGaAs/GaAs体激光器作光源,经光纤耦合与衰减,得到可变的光功率。测试结果表明,在3-14V工作电压下,1μW入射光功率时光增益7113,40-50nW光功率时光电增为3693,高于国内外报道的光电探测器的同类指标。  相似文献   
3.
分析多层土条件下,桩靴承载力和孔穴的变化规律,揭示桩靴发生穿刺现象的实质;进一步提出桩靴极限安全深度的概念,系统描述上、下土层强度比、上层土相对厚度、下层土标准化抗剪强度和土体强度非均匀系数等参数变化对桩靴承载力的影响;给出适用于工程使用的上硬下软黏土中桩靴承载力系数的计算方法。研究结果表明:桩靴发生穿刺的深度主要受到上层土相对厚度、上层土强度和上下土层强度比的影响;标准化抗剪强度系数和土体强度不均匀性系数对于桩靴承载力系数极限值的影响都不超过5%,地基土最终承载力与上层土无关,取决于下层软土的强度。  相似文献   
4.
在有效碰撞电离率近似下,出给定正向阻断电压和电流放大系数的AS-CR长基区参数满足的关系式。数值计算结果表明,把此关系与有效碰撞电离率系数和雪倍增因子参数的经验公式相结合,是一种快速、精确设计ASCR正向阻断电压的方法。  相似文献   
5.
非对称型门极换流晶闸管阻断特性的设计与优化   总被引:6,自引:0,他引:6  
分析了非对称型门极换流晶闸管(GCT)的结构和工作原理,提出了阻断特性的设计方法,并依此建立了非对称型GCT的结构模型;利用MEDICI软件对其正向IV特性和电场分布进行了模拟,分析了穿通型耐压结构的击穿机理,证实了设计的合理性;另外通过对GCT结构参数的优化,指出当n缓冲层的浓度为5×1016cm-3时,可获得比较理想的阻断特性。  相似文献   
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