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金纳米粒子(Au NPs)敏化二氧化锡(SnO2)半导体,不仅拓宽了材料对可见光的吸收范围,且异质界面易形成肖特基势垒,有效促进光生电子空穴对e-/h+的分离,提高传感器的灵敏度.探索了一步合成法制备SnO2@Au NPs异质材料,该材料具有较高的光电转化效率,表现出较好的光电性能.基于此纳米复合材料均匀牢固的特点,可在其表面修饰识别层,构建“三明治”夹心结构生物传感器,实现对钙卫蛋白(CP)的特异性光电测定.线性范围为0.01~20.00 μg·mL-1,检测限低至3.2 ng·mL-1,且特异性好、稳定性佳.此外,传感器也成功用于检测实际血样中的CP,并获得了较好的回收率,可实现对CP的快速无创性检测. 相似文献
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研究 Ti O2 纳米晶薄膜电极的光电化学特性 .通过测定阳极光电流 -时间瞬态光电流响应 ,分析纳米晶薄膜 /溶液界面的光生电荷转移的动力学规律 .光照后的慢电流响应与 Ti O2纳米材料的表面态有关 .导带电子向深能级表面态的传递是造成慢电流响应的原因 . 相似文献
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SAM修饰金电极的电化学和光电化学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了自组装单分子膜(SAM)修饰金电的修饰方法及其在电催化、光电化学领域的研究进展等内容,探讨了SAM修饰金电极的应用前景和该方法进一步的发展方向。 相似文献
4.
为提高纳米光电化学电池的光电转换率,研究者们致力于选择不同的敏化剂,其中量子点以其在紫外和可见光区的强吸收性和易于制备等特殊的性质及其种种优点而备受研究者的青睐,阐述了量子点作为纳米TiO2光电化学太阳电池敏化剂的应用研究及敏化机理。 相似文献
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用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚噻吩(PTh)膜和纳米结构TiO2/聚噻吩(ITO/TiO2/PTh)复合膜的光电转换性质。结果表明,PTh膜的禁带宽度为2.02eV,价带位置为-5.86 eV,导带位置为-3.84 eV。在ITO/TiO2/PTh复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离,PTh修饰ITO/TiO2电极可使光电流产生波长发生明显红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。在实验条件下,单色光的光电转换效率最高可达到13%。 相似文献
6.
采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法制备了TiO2 薄膜 ,测定了TiO2 薄膜的晶体结构 ,以 p -Si为基底电极 ,研究了TiO2 薄膜的光电化学性质 .经TiO2 修饰的p-Si电极 ,开路光电位增加近 2 0倍 ,并表现出很强的稳定性 ,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料 . 相似文献
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光电化学免疫分析研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
光电化学分析是近年建立起来的一种基于物质的光电转换特性而进行检测的新型分析方法,它具有灵敏度高、设备简单、易于微型化等特点.光电化学免疫分析则是光电化学分析与免疫反应的结合,体现了光电化学传感的高灵敏度和免疫反应的高特异性.其基本方法原理是,在光照条件下,光电活性物质将免疫反应转变为电信号,从而实现对待测物的定量测定.在过去10年中,伴随着光电化学分析技术的进步,光电化学免疫分析经历了快速发展的过程.本文介绍了光电化学免疫分析的方法原理和特点,对其代表性的研究工作进行介绍和评述,并展望其未来的发展趋势. 相似文献
8.
采用电化学沉积方法,选择聚乙二醇(PEG-400)和乙二胺(EDA)为添加剂,直接在ITO导电玻璃上制备了有序阵列的ZnO纳米棒,以及ZnO纳米棒上生长纳米棒微纳分级结构。采用化学浴沉积法均匀沉积Sb2S3纳米粒子,制备了Sb2S3/ZnO纳米棒壳核结构和Sb2S3/ZnO纳米棒上生长纳米棒分级壳核结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、瞬态光电流等分析手段对其形貌、结构和光电化学性能进行了表征和测试。研究表明,Sb2S3/ZnO纳米棒上生长纳米棒分级壳核结构阵列膜的光电流明显高于Sb2S3/ZnO纳米棒壳核结构阵列。 相似文献
9.
用强迫水解的方法制备粒径为5 nm的无定形Fe2O3微粒, 并用滴膜的方法制备ITO/Fe2O3电极. 在KCl, Na2SO4, NaOH电解质溶液中研究这种电极的光电化学特性. 同时对光生载流子在Fe2O3膜/电解质溶液界面的传递过程进行讨论. 根据紫外-可见吸收特性及光电流的产生电位实验数据绘制了无定形Fe2O3的能级示意图. 相似文献
10.
刘守清 《苏州科技学院学报(自然科学版)》2005,22(4):50-56
采用溶胶-凝胶法合成了钒酸铟,颗粒直径在100~200 nm范围内.XRD研究表明钒酸铟的晶体结构属正交晶系Cmcm空间对称群.紫外-可见吸收光谱研究表明,这种介观粒子钒酸铟的吸收光谱发生了蓝移,其能隙为2.17 eV,而相应体相态钒酸铟的能隙为2.00 eV.扩散反射光谱研究表明,钒酸铟是一种间接光电子跃迁材料.光电化学研究表明,钒酸铟是一种N-型半导体,其导带电位相对于标准氢电位为-0.11V,价带电位为2.06 V. 相似文献