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1.
溅射法制备硫化锌薄膜的探索   总被引:14,自引:1,他引:13  
利用射频磁控溅射法制备硫化锌薄膜,用X射线衍射、透射电镜、研究薄膜的结构相变,揭示了硫化锌薄膜的微观结构和相变特征.  相似文献
2.
Cu-In膜的相结构对CuInSe2薄膜性能的影响   总被引:10,自引:0,他引:10  
为考察溅射功率对Cu-In薄膜中相结构以及相应的CuInSe2(简称CIS)薄膜性能的影响,采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态硒化方法形成CIS薄膜.采用SEM和EDX观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硒化中的反应动力学过程.结果表明,在不同的溅射功率条件下,Cu-In预制膜以Cu11In9相或Cu11In9和CuIn的混合相存在.由Cu11In9和CuIn混合相薄膜形成的CIS薄膜具有单一的CuInSe2相黄铜矿相结构,且其成分接近CuInSe2化学计量比.而由Cut1In9相Cu-In预制膜形成的CIS薄膜中除了CuInSe2相以外,还出现了Cu2Se相,且其成分远离CuInSe2化学计量比.因此,具有Cu11In9和CuIn混合相结构的CuIn薄膜更适合制备CIS太阳电池吸收层.  相似文献
3.
双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术   总被引:10,自引:0,他引:10  
因其设备简单,沉积速率高等特点,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中,但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物,氮化物膜时,为了得到化学配比的膜层,9 反应激活基因,离子等的密度必须足够大,为此对原有的微波-ECR等离一源进行了改造,研究了双放电腔微波ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性,并用该方法制备了氮化碳膜,结果表明,该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术,用该方法制备的氮化碳膜,化学成分接近化学配比。  相似文献
4.
N2分压对磁控溅射NbN薄膜微结构与力学性能的影响   总被引:9,自引:1,他引:8  
采用反应磁控溅射法在不同的氮分压下制备了一系列NbN薄膜.用XRD和TEM表征了薄膜的相组成和微观结构,力学探针测量了薄膜的硬度和弹性模量,AFM观察了薄膜的表面形貌并测量了压痕尺寸以校验硬度值的准确性.研究了氮分压对薄膜相组成、微结构和力学性能的影响.结果表明,氮分压对薄膜的沉积速率、相组成、硬度和弹性模量均有明显的影响:低氮分压下,薄膜的沉积速率较高,制备的薄膜样品为六方β-Nb2N和立方δ-NbN两相结构;随氮分压的升高,薄膜形成δ-NbN单相组织,相应地,薄膜获得最高的硬度(36.6GPa)和弹性模量(457GPa);进一步升高氮分压,获得的薄膜为δ-NbN和六方ε-NbN的两相组织,其硬度和模量亦有所降低.  相似文献
5.
Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。  相似文献
6.
TiN/AlN纳米混合膜的微结构及力学性能   总被引:6,自引:3,他引:3  
通过双靶轮流反应溅射的工艺方法制备了TiN/AlN纳米混合膜.采用XRD衍射、TEM和显微硬度等测试方法对TiN/AlN纳米混合膜的微结构和力学性能进行了研究.结果表明,TiN/AlN纳米混合膜的晶粒大小为10~20nm;薄膜总体表现出硬度增强效果,在TiN∶AlN(体积比)≈1∶1时,薄膜硬度获得极大值HK32.25GPa.  相似文献
7.
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1 Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制氧流量改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200分析器测量,当氧流量增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向中心波长(550 nm)处移动,薄膜的消光系数k有增大的趋势,但对薄膜的折射率影响不大.通过XRD和SEM表征发现,随着氧流量的增加金红石相的TiO2增多,并且表面趋于致密平滑.  相似文献
8.
室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡(ITO)薄膜获得电阻率3×10-4Ω·cm,在可见光区平均透光率84%的优良性能.用扫描电子显微镜和X射线衍射法研究了ITO薄膜的结晶形貌和晶体结构  相似文献
9.
双靶反应溅射Ti-B-N复合膜的研制   总被引:5,自引:2,他引:3  
采用基片架旋转的多靶磁控溅射仪,通过六方氮化硼(h-BN)和Ti靶反应溅射制备Ti-B-N复合薄膜,并用AES、XRD和TEM等方法研究了薄膜的微结构.结果表明,室温下沉积薄膜均呈非晶态,经过400°C热处理薄膜晶化.基片加热为400°C沉积的薄膜则已晶化,TEM分析确定薄膜结构为TiN结构.显微硬度表征发现,室温沉积Ti与h-BN的原子数约为2∶1时的薄膜达到最高硬度HK2600.  相似文献
10.
纳米二氧化钛薄膜的磁控溅射制备和结构特性表征   总被引:5,自引:0,他引:5  
用磁控溅射方法制备出纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,对制膜的工艺参数进行了详细的测试分析,X射线衍射(XRD)分析表明退火温度提高,TiO2薄膜结晶度增加,800℃下退火2h,TiO2薄膜完全转化为金红石结构,其分子式为Ti8O15,出现氧空位.  相似文献
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