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1.
铝酸锶铕镝长余辉材料研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
针对近年国内外研究SrAl2 O4 :Eu ,Dy长余辉材料的主要进展 ,从材料制备、余辉机理、光谱特性等方面进行概要综述 ,并展望稀土铝酸盐长余辉材料的发展前景 .  相似文献
2.
电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn发光机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn作了XRD分析,并测试了材料的荧光谱、荧光激发谱、红外激励发光谱、红外激励谱、荧光余辉衰减曲线等光谱特性。结果显示:材料为六方晶系ZnS单相;可受460nm以下的紫外及可见光激发;红外响应范围为(700—1600)nm;荧光和红外激励发光的峰值波长在490nm和580nm。根据光谱特性对ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理进行了探讨,提出了ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理能级模型,并结合模型对材料的激发和激励过程作了具体的分析。  相似文献
3.
采用电化学方法分别在硫酸、草酸、磷酸电解液中制备了多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜.对其光致发光特性进行研究发现,硫酸和草酸电解液中制备的AAO薄膜在350~600 nm范围内出现了较强的光致发光带,前者的发光峰位为420 nm,后者除了420 nm的发光峰外,还在470 nm处有一个明显的峰肩,且后者的发光强度随氧化电压的增加而逐渐增强.磷酸电解液中制备的AAO薄膜在350~600 nm范围内没有出现明显的光致发光带.对其发光机理分析认为,硫酸电解液中制备的AAO薄膜的峰位为405 nm的发光源于F (氧空位俘获1个电子)中心,峰位为455 nm的发光可能是由F(氧空位俘获2个电子)中心引起的,也可能是由其它因素引起的.草酸电解液中制备的AAO薄膜的峰位为420 nm的发光与F 中心有一定的相关性,峰位为470 nm的发光主要源于与草酸根离子有关的发光基团.  相似文献
4.
研究了部分稀土(Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy)与邻苯二甲酸(HL-)及邻菲罗林(L1)的三元配合物[RE(HL)3·L1·3H2O](RE=Y、Sm~Dy)的荧光性质,并与稀土的二元配合物RE(HL)3进行了比较,探讨了邻菲罗林对Tb(Ⅲ)和Eu(Ⅲ)的三元配合物发射光谱的增强作用及Tb(Ⅲ)三元配合物的发光机理.在Tb(HL)3·L1·3H2O中,由于HL-与L1能量的双重传递,使Tb(Ⅲ)的荧光强度大为增加  相似文献
5.
本文从发光动学观点论述电离气体变色发光的机理,从激发辐射的简化模型着手,研究在合适的变色发光介质中,利用控制电子能量产生选择性激发来实现变色发光。  相似文献
6.
对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果.  相似文献
7.
概述了多孔硅的制备方法,同时提出了对双槽法的改进方法。阐述了多孔硅的形成机理和发光机理的各种模型,同时对多孔硅的研究前景作了展望。  相似文献
8.
20世纪发现和发展起来的铝酸锶铕体系长余辉发光材料是一类重要的新型能源和节能材料.综合评述了铝酸锶铕系发光材料的光学性能,对其制备方法进行了系统描述,同时对其发光机理进行了介绍,并总结了这种发光材料的研究现状.  相似文献
9.
用氯化铕与苯甲酰丙酮(BA)、邻菲咯啉(Phen)和丙烯酸(AA)在乙醇溶液中反应,合成了铕(Ⅲ)的 相应四元配合物Eu(BA)2(AA)Phen.用EDTA容量法测定了Eu3+的浓度,元素分析测定了C、H、N的质量 浓度,结合红外光谱确定了四元配合物的组成.用溶胶-凝胶法合成了四元配合物的SiO2基质复合材料, SiO2:Eu(BA)2(AA)Phen.研究了该四元配合物和其 SiO2复合物的红外吸收光谱、紫外可见吸收光谱及光致发 光性能,重点分析了四元配合物的光致发光机理.结果表明,该配合物中的配体吸收激发光的能量后,能 有效地传递给中心Eu3+,发出强的Eu3+的特征荧光.并考查了SiO2:Eu(BA)2(AA)Phen复合材料的荧光寿命 及其热稳定性,SiO2基质的包裹作用延长了配合物中Eu3+的荧光寿命  相似文献
10.
制备了上转换发光显示器中发蓝光的上转换发光材料KY3F10:Tm,Yb.测试了该材料的XRD衍射图谱.给出了该材料在980 nm激光激发下的发光光谱.分析了该材料的上转换发光机理,得到480 nm峰值发光是由Tm3+1G43H6跃迁产生的.KY3F10:Tm,Yb具有较强的上转换蓝光,同时存在的较弱的红光易于用滤色膜滤除,满足显示对三基色中蓝色的要求.该材料是上转换发光显示所需的一种较好的蓝光材料.  相似文献
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