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1.
填充型高分子复合材料导热性能研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
分析了填充型高分子复合材料的导热机理,并预测复合材料导热系数的数学模型.指出当前高分子导热复合材料研究中存在的问题,提出未来导热高分子复合材料的开发方向,即开发具有高导热系数的纳米填充物,利用纳米复合技术提高其综合性能;改进表面处理方法,对填充物表面进行改性.  相似文献
2.
半导体电热膜的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
对稀土掺杂和复合稀土氧化物半导体电热膜的制备和薄膜特性进行了研究,并和SnO2电热膜进行了研究对比,讨论了新型半导体电热膜的掺杂效应和电阻随的变化规律及导电机理。  相似文献
3.
聚苯胺/丁腈橡胶复合材料的制备及性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
通过把化学法合成的具有高导电性的聚苯胺粉末与丁腈橡胶共混,制备了聚苯胺/丁腈橡胶复合材料。实验结果表明,在丁腈橡胶中加入聚苯胺可显著提高了腈橡胶的导电性能,复合材料具有良好的综合力学性能。聚苯胺在丁腈橡胶中只起导电填料的作用,两者之间不存在化学反应。聚苯胺在丁腈橡胶中具有良好的分散性,并对丁腈橡胶具有补强作用。聚苯胺的适宜用量是30~40份,其用量过大时,对丁腈橡胶的硫化反应具有较强的抑制作用,并直接损害复合材料的导电性能和综合力学性能。  相似文献
4.
货币政策应对资产价格波动的难点及对策思考   总被引:3,自引:0,他引:3  
资本市场的发展对货币政策的传导机制产生了重大的影响,这种影响对货币政策的最终目标提出了新的挑战,并成为货币政策操作中的一个难题。因此,货币政策在实施过程中要考虑资本市场的反应并有必要监控资产价格的变动情况。同时,货币政策理论需要对这些新的领域加强研究。  相似文献
5.
电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的室温电阻率下降。讨论了Al,B和Zr在碳化硅中的存在形式,并分析了试样的导电机理。  相似文献
6.
ZnO压敏陶瓷晶粒间界效应   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传导电子和正电子的湮灭。实验结果支持Schot-tky势垒模型对晶粒间界提供的压敏效应的解释。  相似文献
7.
生物电子“运动平衡理论探讨——经络导平仪的理论基础   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文在谢景安等创研经络导平仪成果及其实践的基础上,从理学角度阐述了经络导平的概念,给出了其公式、经络导平机理,“生物电子”、“生物电子”运动宏观特性,提出了作者的认识,与同仁商榷。  相似文献
8.
将炭黑与丁腈橡胶混合制备导电复合材料,其中炭黑(N550)/丁腈橡胶电阻率随温度的变化呈一定强度的正温度系数(PTC)效应.讨论了不同炭黑填充率、硫化体系、配合剂等对复合材料室温电阻率、PTC效应和力学性能的影响.  相似文献
9.
导电高分子材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了新型导电高分子材料的分类、性能、导电机理,对提高导电高分子材料的导电性及力学性能的途径、应用以及发展前景作了探讨。  相似文献
10.
Ti3SiC2 has the potential to replace graphite as reinforcing particles in Cu matrix composites for applications in brush,electrical contacts and electrode materials.In this paper the fabrication of Cu-Ti3SiC2 metal matrix composites prepared by warm compaction powder metallurgy forming and spark plasma sintering(SPS) was studied.The stability of Ti3SiC2 at different sintering temperatures was also studied.The present experimental results indicate that the reinforcing particles in Cu-Ti3SiC2 composites are not stable at and above 800℃.The decomposition of Ti3SiC2 will lead to the formation of TiC and/or other carbides and TiSi2.If purity is the major concern,the processing and servicing temperatures of the Cu-Ti3SiC2 composite should be limited to 750℃ or lower.The composites prepared by warm compaction forming and SPS sintering at 750℃ have lower density when compared with the composites prepared by SPS sintering at 950℃,but their electrical resistivity values are very close to each other and even lower.  相似文献
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