新一代无线电平台数字射频核心技术研究与工程实践

无线电平台数字射频是提高现代无线电系统复杂电磁环境适应能力、机动能力、传输能力和综合集成能力等基础性能的关键.本文分析了射频技术的发展需求和国内外数字射频领域的研究进展,以及模拟射频核心单元——模拟射频功放主要指标相互矛盾的机理,并将数字射频概念扩展到综合数字射频,重点论述了数字射频核心技术——数字射频功放和全数字发信机的基本原理、优势和关键技术,提出了基于系统与工艺相结合的数字射频设计方法、数字射频功放的物理模型和一种全数字发信机体系结构以及我国自主可控发展数字射频的技术路线建议.本文认为在当今时代背景下,数字射频对于新一代无线电平台具有革命性和可行性;如果不能自主可控发展该项核心技术,我国又将出现一个新的受制于人的脆弱点.     

一种数字预失真直放站的实现方法

受到功放非线性特点的限制,直放站的效率大大降低.为提高直放站的输出效率,增加数字预失真功能提出了一种数字预失真直放站的设计方法,并给出了具体的实现方案.经仿真验证,算法简单可靠,可以较大地提高数字直放站的效率.     

涡街流量计的传感信号放大电路设计

涡街流量计的传感信号放大一直是该流量仪表设计中的一大难点.小信号处理不好会造成量程比受限,小流量不能测量;还会产生50Hz干扰,信号自激.通过改进涡街流量计传感信号放大电路设计,从而提高了测量量程比,根除了信号自激现象,有效地解决了这些问题.     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。     

6.2～9.4GHz DC-OFDM超宽带接收机射频前端设计

设计了一个用于6.2~9.4 GHz超宽带中国国家标准的接收机射频前端.通过采用共栅输入、电容交叉耦合的低噪声放大器和正交跨导级合并的折叠型混频器,实现了对UWB小信号的放大和下变频.设计方案采用TSMC 0.13μm 1P8M RF CMOS工艺流片验证并进行测试.测试结果表明,输入匹配在6.2~9.4 GHz频段内...     

基于波峰因子衰减与数字预失真的功放线性化技术

研究了峰均比抑制技术和数字预失真的联合设计及加入峰均比抑制技术后的增益控制问题,并给出了相应的峰值限幅算法和自适应的预失真算法,提出了平均功率调整和增益控制的结构和实现方法.仿真结果表明联合设计方案能够很好地补偿功放的非线性和记忆性,而且信号的带内失真得到了明显的改善,带外扩散也得到相应地抑制.     

X、Ku波段宽带低噪声放大器的设计

文章利用有损匹配的方法设计了一种覆盖X、Ku波段的宽带低噪声放大器,其工作频率为8～18 GHz,带内功率增益大于32 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-7 dB,噪声系数小于2.8 dB,最大输出功率为16 dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.     

特种光纤及器件研究

特种光纤及器件在光纤通信、光纤传感、光纤激光等领域有非常广泛的应用.近年来,上海大学特种光纤与光接入网省部共建重点实验室将纳米技术与特种光纤及器件相结合,开展了特种纳米半导体掺杂光纤、抗辐射光纤、包层模谐振光纤以及量子点光纤放大器等方面的研究,并探索了它们在宽光谱光放大、特种光纤传感器等方面的应用.     

LC谐振放大器的参数选择研究

针对Lc谐振电路在设计过程中存在运算量大,硬件调整和测试都比较复杂且不易优化的问题,提出了LC谐振回路电感、电容的选值方法。采用Multisim软件对选频放大电路进行辅助设计分析,并对放大器的中心频率、电压增益和选择性等性能进行了仿真验证。结果表明,所设计的放大器满足预期设计指标要求,且设计过程简单。因此,所提方法是有...     

Development of cryogenically-cooled low noise amplifier for mobile base station receivers

A new circuit model for designing and manufacturing an S-band low noise amplifier(LNA) with the software,Advanced Design System(ADS),is introduced in this paper.The proposed model involves shunted impedance at the grid to achieve a stable LNA without measuring the S-parameters of transistors at low temperatures.The LNA was measured over the operation band of 2.2-2.3 GHz,which has input and output standing wave ratios below 1.2.The noise figure of the manufactured LNA was about 0.2 dB and the gain was above 22 dB,which indicated that our LNA worked well at 77 K.