绝缘栅PMOS的SUPREM—SEDAN联机模拟研究

本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为．揭示了上述效应的机理．     

SnO2@TiO2纳米粒子的光催化性能

以纳米SnO2·nH2O胶体粒子为基质,采用活性层包覆法制备出复合光催化剂SnO2@TiO2.用其对有机磷农药DDVP的稀释液进行降解,并用SEM、TEM、XRD、BET和XPS等手段进行了表征.结果表明:SnO2@TiO2粒径在12nm左右,比表面积为72.27m2g,由锐钛型TiO2与金红石型SnO2组成,光催化活性明显优于单一的SnO2、TiO2.其最佳用量为3.0gL,并且可重复使用.添加剂H2O2、Fe3+的最佳浓度分别为1.65mmolL和0.5mmolL.     

具有半导体导电特性的腈纶研究

研究了由二价铜盐、还原剂和硫化剂浴液处理法制备导电性腈纶的影响因素、实施方法、导电性腈纶的结构和性能，确定了适宜的工艺条件。研究表明：一浴法和二浴法处理的反应历程和处理结果基本相同，但还原剂、硫化剂的匹配及用量不同；导电化处理后腈给大分子排列的规整性略有下降，宏观形态及物理机械性能无明显变化；当纤维中Ｃｕ９Ｓ５含量达１２．５％时，质量比电阻下降至１０－１Ω·ｇ／ｃｍ２以下。纤维具有明显的半导体导电特性。     

半导体器件中的量子隧道效应

利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 .     

激光辐照Fe81.5P18.4Yb0.1非晶合金的晶化特征

本文用扫描电镜（ＳＥＭ）和示差扫描量热法（ＤＳＣ）研究了ＸｅＣｌ准分子激光辐照Ｆｅ＿（８１．５）Ｐ＿（１８．４）Ｙｂ＿（０．１）非晶合金的晶化特征。结果发现，辐照样品的断面上有类冲击波纹样的层状规则的晶粒分布，其晶粒尺寸由辐照表面向样品内部逐渐减小，最后是近纳米尺度的微晶排布，样品的热稳定性也明显改善。     

半导体激光器行波速率方程的研究

考虑了ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器的俄歇效应后，对描述稳态运行的半导体激光器的行波速率方程组进行了修正，求得了隐函形式的解析解，并以此对激光器的一些重要持性进行了讨论。     

用扩展电阻法研究陶瓷微区电导性能

本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果.