含Al_2O_3的ZrO_2中的晶界相研究

用复平面阻抗分析法测量了含Ａｌ２Ｏ３的ＺｒＯ２材料的晶界电阻，并用ＥＰＭＡ，ＴＥＭ及正电子湮没技术等手段从显微组织、缺陷结构等方面分析了Ａｌ２Ｏ３含量和烧结温度对晶界电阻的影响，提出了一个新的Ａｌ２Ｏ３作用机理。用一个简化了的模型分析了晶界相对ＺｒＯ２氧传感器输出电势的影响。     

低水泥高铝质浇注料预制块的研制

介绍一种新型浇注料预制块。以特级矾土熟料为骨料和粉料，配以活性ＳｉＯ２微粉和α－Ａｌ２Ｏ３微粉，以纯铝酸钙水泥作结合剂，并加入有效的外加剂制成混合料，经浇注振动成型，得到一种低水泥高铝质浇注料预制块。该预制块应用在烧结机点火器上，使用寿命可达２～３年。     

溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响

研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致.     

ZTA—SiCw—TiC复相陶瓷材料强韧化机理研究

四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化，同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果。热压ＺＴＡ－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ复相陶瓷材料与Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ相比具有更高的综合机械性能。碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大，随着碳化钛含量的增加，基体的硬度明显增加。主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等。基体的主要断裂方式为穿晶解理断裂。     

溶胶-乳状液-凝胶法合成掺Al_2O_3的纳米级Y-TZP粉体

以二甲苯为油相 ,氧氯化锆、氯化钇和氯化铝的混合水溶液为水相 ,聚氧乙烯失水山梨醇单油酸酯为表面活性剂 ,采用溶胶 -乳状液 -凝胶法合成了掺杂Al2 O3的Y -TZP超细粉末 .通过热重 (TG)、差热 (DTA)、XRD ,分析了由凝胶粉末热解至Y -TZP粉末的转变过程 .用TEM观察了粉末的形貌和分散状态 .探讨了Y -TZP粉末形成和生长过程 .实验表明 ,约在 50 0℃ ,凝胶转变为Y -TZP固溶体 ;在 550℃下焙烧制备的Y -TZP粉末粒径为 8～ 1 0nm ;在 1 1 0 0℃下所得烧结体的相对密度达 96% ;粉末在高温下能保持很高的四方相含量     

活性炭微反应器法制备纳米氧化铝粉体

基于ZnC12活化后获得的活性炭具有孔隙丰富、结构有序、高温下易于除去的特性,构建了用于制备纳米氧化铝粉体的活性炭微反应器,研究了微反应器内前驱颗粒的形成与生长过程,探讨了微反应器在粉体制备中所起的作用.研究发现:微反应器内可生成大量均匀分布在反应器壁上的球形前驱颗粒,这些颗粒被孔壁牢固吸附;粉体的煅烧转相温度与微反应器脱除同步,微反应器在煅烧过程中一直起到了限域的作用,有效防止了粉体的团聚,从而获得了颗粒尺寸分布均匀且分散性好的α-Al2O3粉体.     

阳极氧化铝模板高有序孔的形成机理综述

阳极氧化铝模板法是合成纳米阵列材料的最常用的方法,然而有关氧化铝纳米孔的形成机理却没有达到统一的认识.利用26篇文献综述了氧化铝膜的理想结构和电场辅助的溶解模型、体积膨胀的应力模型、稳态孔的生长模型、临界电流的密度模型和梅花结构模型等5种不同的氧化铝纳米孔形成机理,最后对氧化铝模板的应用和发展前景提出了展望.     

熔融制样-X线荧光光谱测定Al_2O_3中Fe_2O_3,SiO_2,Na_2O的含量

应用熔融制样-X线荧光光谱法测定Al2O3中主要杂质Fe2O3,Si O2和Na2O的含量。采用Li2B4O7挂壁制备熔剂坩埚,分散剂溶解并分散Al2O3样品,蒸干过量水分后加混合熔剂(Li2B4O7∶Li BO2以12∶22的质量比混合),低温蒸干,并加热熔融制成厚度为2.5 mm的玻璃状熔片,用X线荧光光谱仪对Al2O3中Fe,Si,Na等元素同时进行测定。通过对此方法精密度及精确度的考核,其测量结果与化学值相吻合,三者杂质的标准偏差均小于10%,测定值与已知值之间的误差均符合标准规定。     

烧结温度对高速压制制备弥散强化铜材料导电率的影响

弥散强化铜材料具有高强度和高导电性的特性,孔洞是影响导电率的重要因素.本文采用高速压制成形技术,对Al2 O3质量分数为0.9%的弥散强化铜粉压制成形,研究了压制速度对生坯的影响.当压制速度为9.4 m·s-1时得到密度为8.46 g·cm-3的生坯.研究了烧结温度对烧结所得Al2 O3弥散强化铜试样导电率的影响.当生坯密度相同时,烧结温度越高,所得试样的导电率也越高.断口与金相分析表明：烧结温度为950℃时,烧结不充分,颗粒边界以及孔洞多而明显,孔洞形状不规则;烧结温度为1080℃时,颗粒边界消失,孔洞圆化,韧窝出现,烧结坯的电导率为71.3%IACS.