基于摄像头的直立行走智能车控制系统设计

针对以往靠中心线提取速度较慢导致车模方向控制不稳,容易跑出赛道等问题,设计以K60微控制器为核心控制单元,利用CMOS摄像头对路径信息进行采集,在提取赛道边界和控制车体方向时创新性的使用了"窗口检测法"和"双比例"PD控制方法。"窗口检测法"能够缩短赛道边界的提取时间,提高搜索效率。双比例PD控制能够对比例参数P进行实时调整,进而更及时、准确地控制车模的运行方向。     

新型高增益CMOS跨导运算放大器

为了解决在低电压、深亚微米工艺条件下获得高增益运算放大器的问题,通过引入电流倍增和分流技术,提出了一种新型高增益可调的跨导运算放大器(OTA)。在1.8V工作电源下采用0.18μm COMS标准工艺对其进行Spectre模拟,结果表明,该OTA的直流开环增益在61dB至91dB可调,最大静态功耗为434μW,最小共模抑制比为114dB。所提出的跨导运放与传统OTA相比,具有高增益和增益可调的优点,可适用于通信、电子测量,以及自动控制等系统。     

基于Kinetis K60的智能车控制系统设计

针对目前智能车控制中,控制电路复杂以及控制芯片内部资源有限导致系统稳定性差等问题,提出了一种基于飞思卡尔Kinetis K60(简称K60)的智能车控制系统,并设计了系统硬件和软件。采用CMOS高速数字摄像头,简化了硬件电路,提高了系统实时性。最后,应用增量式PID控制算法完成舵机和电机控制,并通过实验调试确定了系统参数。     

计算机BIOS与CMOS相关性分析与故障处理

阐述了BIOS与CMOS的关系,对系统BIOS故障引起死机和CMOS造成的死机故障分别进行分析,并给出了各自的处理措施,探讨了BIOS设置选项注意的问题。     

注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。     

CMOS数字图像传感器研究进展

CMOS图像传感器已从无源和有源像素结构发展到数字图像传感器(DPS),数字图像传感器是CMOS图像传感器的发展方向,DPS的优势在于可把整个图像系统集成在一块芯片上,构成单芯片成像系统,从而降低成本,节约系统功耗,改善成像质量.片上集成模数转换器(ADC)是CMOS图像传感器的关键部件,重点分析和比较了三类不同集成方式:芯片级、列级和像素级的原理、性能和特点.介绍了目前国内外数字图像传感器的发展现状及其未来的发展趋势.     

O.18-μm CMOS千兆以太网并串转换芯片设计

提出了一种新的树型结构10:1并串转换电路,可应用于千兆以太网,其工作速度达到1.25 Gbit/s.树型结构的使用可以使大部分电路工作在较低的速率上,从而简化了设计,也减小了功耗.低速5:1并串转换单元采用改进的并行结构,利用一系列D触发器调整进入数据选择器的时钟和数据间的相位关系,使其相对于普通并行结构有更大的相位裕量,可以更可靠地工作.芯片应用TSMC 0.18-μm CMOS工艺实现,芯片面积为0.7 mm×0.5 mm,核心电路功耗为3.6mW,小于同类电路.     

CMOS数字集成电路I/O单元设计分析

按使用时焊点(PAD)排列方式的不同,CMC)S I/O库可分为两大类:直排式(inline)和交错式(staggered).以双向输入/输出单元为例详细介绍了一般CMOS I/O单元的主要组成部分及设计分析.其主要电路组成部分包括输出电平转换,输入/输出驱动以及静电保护,在工作频率要求较高时还应设计电源噪声抑制模块.电路设计配合一定工艺的spice模型进行仿真,根据仿真结果判断设计正确与否并进行优化.     

深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析

深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%.     

关于数码相机图像传感器的工作原理

本讨论了数码相机的核心部分：图像传感器（CCD、COMS）的光电转换、电荷贮存、电荷转移三个基本功能。这是认识数码相机成像原理的基础。