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1.
对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景. 相似文献
2.
刘克源 《西北大学学报(自然科学版)》1989,19(1):26-29
本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。 相似文献
3.
分析了结型场效应管压控增益放大器的电路原理,并阐明了其电路的特性和实用价值,为集成电路设计提供了理论依据。 相似文献
4.
本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用.通过采用这两种工艺,不仅使得晶体管输出电容减小14%,也使可靠性明显提高.从而满足了微波电路使用的特殊要求 相似文献
5.
本文以FH323型高频大功率达林顿晶体管为例,讨论R1、R2的作用与选择,提出R1、R2的最佳设计方法,从而提高了单片式两级高频功率达林顿晶体管hFE、ICEO的温度稳定性。 相似文献
6.
给出了一种新的电路元件零器、零口器、非口器的概念,并用它们构造晶体管模型──零器模型.还论述了零器模型在晶体管电路的分析和设计中的应用. 相似文献
7.
蒋军 《陕西理工学院学报(自然科学版)》1999,(1):28-30
本文介绍了零泛器的端口特性关系,晶体管的零泛等效电路,给出了应用零泛器设计计算偏置电路参数的一种方法。 相似文献
8.
首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法. 相似文献
9.
卢根锁 《山西师范大学学报:自然科学版》2002,16(4):16-20
利用自建的IGBT仿真模型,通过对Cuk型PWM电源拓扑和变型电路的仿真分析,验证了该电路作为超大功率SPS的可行性。 相似文献
10.
本文对一般半导体器件模型参数提取提供了一个有效且可靠的方法,着重分析了一个类似于EM3模型的双极性晶体管高频线性增量模型进行参数提取的全过程,同时提出了各种辅助措施以使参数提取工作更加有效和精确.克服了以往方法中收敛结果对参数初值非常灵敏及迭代速度缓慢的缺点,从而扩大了参数初值的选取范围,提高了参数提取效率。使参数初值选择得偏离最佳点在250%左右范围内,都能收敛到该最佳点.在IBM-PC机上调试,通过了参数的提取程序.最后给出3个算例,并与文献中的方法进行了比较. 相似文献