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1.
利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率.以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质.结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低.由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300 nm时,透光率80%以上.最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小.  相似文献   
2.
合成了电子转移介体锇联吡啶Os(bpy)3,采用催化伏安法研究了Os(bpy)3在ITO电极上的电化学行为,并对Os(bpy)3在葡萄糖-葡萄糖氧化酶体系中的催化反应动力学常数进行了测定。Os(bpy)3的均相反应速率常数KS为2.07×10-2cm/s,催化反应中一级反应速率常Kf为1.05×10-3s-1,二级反应速率常数Kmed为1.57×104L/(mol.s)。并采用催化伏安法测定Os(bpy)3的检出限为为0.016μmol/L。因此,Os(bpy)3作为电化学标记物,能够用于生物传感器的构建。  相似文献   
3.
利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有着显著影响.通过对上述参数的调控实现了Rh纳米粒子的形貌可控制备,得到了准球形、岛状以及片层状的Rh纳米粒子.此外对岛状Rh纳米粒子在表面增强拉曼光谱中的应用进行了研究.结果表明该种结构具有良好的表面增强拉曼活性.  相似文献   
4.
日本的海外发包总额中有65%外包业务漉向我国,其中ITO占较大份额,由于中国企业对日ITO服务的经验不足,再加上项目经理大多数没有接受过专门对日ITO项目的正规训练以及专业知识和技巧的不足.造成较多的对日ITO项目的失败.调用一个对日ITO失败的典型案例,并分别在项目管理计划、项目任务和人力资源等方面进行分析.提出一些有益的启示,相信通过本案例的剖析,将有助于中国企业对日ITO的成功.  相似文献   
5.
用硫酸溶液处理ITO表面制备了有机电致发光器件,发现随着溶液浓度和超声时间的不同,器件的效率也发生变化.当硫酸的浓度是98%且超声时间为10 min时,OLED具有最高的效率及较大的亮度,器件的效率提高了近4倍.通过扫描电镜对ITO表面形貌进行了对比分析,可以看到,经过处理的ITO玻璃表面的粗糙度明显降低,提高了有机膜的附着力,从而改善了器件的效率.  相似文献   
6.
论述了ITO膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响.在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约4×10-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率高于90%.  相似文献   
7.
介绍了一种基于规则的ITO (透明导电薄膜 )电极图案的自动检测系统 ,检测过程主要分为两个步骤 ,第一阶段是对图像进行预处理和图像标记 ,第二阶段根据特定的知识和规则对图像进行学习检测 .并着重讨论了系统的软件组成及实现原理  相似文献   
8.
采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明:退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~(4+)取代Sn~(2+)导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明:分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。  相似文献   
9.
有机电致发光器件(OLED)电极引线发生腐蚀是OLED失效的重要原因.用XRD,XPS,SEM和EDX等方法对镀Cr的ITO电极引线样品的腐蚀产物成分、结构和形貌进行了分析,XRD和XPS结果表明镀层Cr反应生成Cr(OH)3和CrO3,SEM和EDX结果表明Cr先腐蚀,ITO随后发生腐蚀.然后通过对引线样品在不同溶液中的极化曲线分析,得知Cr腐蚀产物的价态与其所处的电位有关,且氯离子对ITO腐蚀具有促进作用.最后根据实验结果对电极引线腐蚀的全过程提出一简化模型进行解释.  相似文献   
10.
ITO透明半导体膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。  相似文献   
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