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1.
研究了压铸工艺参数和铝合金成分对ADC12铝合金材料压铸件力学性能的影响,试验结果表明:改性的压铸件抗拉强度(δb)为309.6 MPa,延伸率(δ)为3.32%,优于国内普遍使用的压铸铝合金ADC12,优化的ADC12合金具有更好的压铸成形性、出型性及机械加工性能,能够满足LED灯壳应用要求。  相似文献   
2.
掺杂不同比例的Gd到铕配合物中得到一系列共发光稀土配合物EuxGd1-x(TTA)3(TPPO)2。这些稀土配合物相似的红外光谱表明掺杂Gd前后的稀土配合物具有类似的分子结构。激发光谱表明所有稀土配合物的最大激发波长都在366 nm附近。绝对量子效率和荧光寿命随着Gd含量的变化呈准周期性变化,同时绝对量子效率和荧光寿命的变化趋势恰好相反,说明了稀土配合物吸收能量后尽快地将能量转化为光能释放出去有利于绝对量子效率的提高。  相似文献   
3.
合成了一种Gd3+的超分子配合物[Gd(HBTA)(BTA)(H2O)4].2H2O(1)(H2BTA=bis(tetrazoly)amine).X射线单晶表征结果显示,化合物1是一种由O H N,N H O,N H N和O H O4种氢键构筑的超分子三维网状结构.该化合物的固体在室温下显示出有趣的荧光性质.  相似文献   
4.
Gd2O3和Dy2O3为反应物,共沉淀合成了镝掺杂氧化钆纳米粉体.研究了Gd2O3:D6^3+的光致发光性质随着Dy^3+掺杂浓度和煅烧温度的变化关系.通过对荧光强度与激活离子Dy^3+离子浓度的关系研究发现,Dy^3+在纳米Gd2O3基质中存在浓度猝灭现象,最佳掺杂浓度为0.7%.  相似文献   
5.
(Y,Gd)BO_3∶Eu荧光粉的溶胶-凝胶法合成及其发光性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
用溶胶-凝胶法合成等离子显示器(PDP)用红色荧光粉(Y,Gd)BO3∶Eu,研究其在真空紫外光激发下的发光特性.研究结果表明,用溶胶-凝胶法在800 ℃下即能合成类球形形貌,粒度小,结晶性能好的(Y,Gd)BO3∶Eu荧光粉,合成温度比传统高温固相法低400 ℃.该方法合成的(Y,Gd)BO3∶Eu荧光粉在147 nm激发下,发光强度比固相法提高10%,且在626 nm处(Eu3+离子的电偶极跃迁5D0→7F2)的纯红色发射峰强度显著提高,因此用溶胶-凝胶法制备 (Y,Gd)BO3∶Eu可以有效的提高荧光粉的发光效率和色纯度.  相似文献   
6.
采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征.结果表明:Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的晶体结构与Gd2O2S相同,为六方晶系.颗粒的形貌为类球形.Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的激发光谱呈250~400 nm宽带状,激发光谱主峰位于365 nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3+的5DJ(J=0,1)→7FJ(K=0,1,2,4)跃迁.最强的发射峰为627 nm和617 nm,均属于5D0→7F2跃迁,且627 nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si4+和Ti4+离子的共掺杂可显著延长样品Cd2O2S:Eu3+的余辉时间.  相似文献   
7.
以聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 为络合剂与Gd(NO3)3·6H2O和Eu(NO3)3·6H2O反应制得前驱体溶液, 采用静电纺丝技术制备了PVP/Gd(NO3)3·Eu(NO3)3复合纳米纤维,经焙烧得到分布均匀、具有较大比表面积的Gd2O3:Eu3+纳米纤维。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)及差热-热重分析(TG-DTA)等现代分析手段对纤维的表面形貌、纯度和结晶度进行了表征。荧光光谱分析表明:随着烧结温度的升高,Gd2O3:Eu3+纳米纤维的结晶度就越高,其荧光性能也越来越强。  相似文献   
8.
钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用固相反应法成功制备了钆掺杂样品Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).X射线衍射对样品的检测结果表明,在整个掺杂范围内样品单相性很好;利用正电子湮没技术对样品缺陷进行了研究,掺杂使微缺陷复合成大的空位团,导致缺陷尺寸变大;采用标准四引线法测量了样品电阻率随温度变化,反位缺陷、缺陷尺寸及GdFeO3和GdMoO3团簇是影响样品电阻率的重要因素.  相似文献   
9.
X射线荧光光谱法测定钐铕钆富集物中十种稀土元素   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了以菲利蒲PW-1404型X射线荧光光谱仪、粉末稀释法测定钐铕钆富集物中10种稀土元素的方法。该法快速、准确,能满足生产与科研的要求。  相似文献   
10.
The growth of Gd film on Ni (110) surface was studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and XPS techniques. It is revealed that in the coverage range of 0–0.22 nm Gd4f core level showed a single-peak structure, therefore Gd film grows over Ni(110) in the layer-by-layer mode. However, when Gd coverage was larger than 0.22 nm the Gd4f peak turned gradually into double-peak and a double-peak structure with 2.3 eV separation was formed at 1.51 nm, meanwhile similar phenomenon was observed in the Gd4d XPS spectra. It is suggested that the double-peak structure of Gd4f was derived from the growth of Gd film in cluster mode and the Gd atomic clusters may exhibit different electronic states from Gd metal owing to their special structures. The Gd4f double-peak e-volved into a single-peak on annealing at 600 K, implying that Gd clusters are thermodynamically unstable.  相似文献   
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