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1.
Cu~+对ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响   总被引:3,自引:2,他引:1  
以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480nm逐渐变为520nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.  相似文献
2.
Cu掺杂对ZnO纳米薄膜的结构及其光学特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用磁控溅射法(RF)在玻璃基底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分别对样品的形貌进行了表征,并对Zn0薄膜进行了应力分析.结果显示:所有样品都呈现出(002)衍射峰,有较好的C轴择优取向;所有样品出现有3个发光峰,分别对应于400nm(3.14eV,紫光),444nm(2.78eV,蓝光),484nm(2.56eV,蓝光).紫峰的存在与激子的存在有极大关系,而蓝光发射主要是由于电子从导带上向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁.随着Cu掺杂量的增加.薄膜的带隙宽度Eg随之减小,样品光学带隙值由3.26eV逐渐减小为2.99eV.实验中还发现,随着Cu掺杂量增加,薄膜的透射率也随之减小.  相似文献
3.
采用直接沉淀法合成了具有六棱柱形貌的Cu2掺杂ZnO双晶结构材料,研究了Cu2的存在对ZnO双晶的形成及形貌的影响,发现溶液中存在的Cu2物质的量浓度越高,获得的Zn(Cu)O材料粒径越大,形貌从细长棒形逐步变为短粗六方柱体,长径比也从10∶1变到1.2∶1.采用简单的碱腐蚀法获得了管状结构的Cu2掺杂Zn(Cu)O材料,并探讨了管状结构的形成机理.Cu掺杂使得Zn(Cu)O样品的绿光发射由550 nm蓝移至520 nm附近,且强度大幅增加.形成管状结构使绿光发射进一步增强,该发射由Cu2掺杂引起的样品内部的Cu2与Cu+之间的相互转变引起.  相似文献
4.
文章采用周期性密度泛函理论,研究了Cu掺杂于锐钛矿TiO_2晶体、吸附和掺杂于TiO_2(001)和(101)表面及次表面后晶体结构的变化及形成能,并讨论了能带结构及态密度的变化.通过形成能的比较发现,Cu最佳掺杂位为TiO_2(001)表面空穴位,且掺杂后TiO_2禁带宽度明显减小并出现半金属性.通过态密度分析可以看出最佳掺杂位Cu-O之间发生较强p-d杂化,证明CuO相的出现.上述结果与实验吻合较好,有效揭示Cu掺杂TiO_2的微观机理  相似文献
5.
以TiCl3为原料,通过喷雾干燥法一步合成锐钛矿Cu/TiO2,并用于紫外光下还原硝酸根.利用XRD,SEM,TEM,紫外可见漫反射等研究样品的性质.该方法合成的锐钛矿Cu/TiO2,铜以Cu+的形式存在.制备的2% Cu/TiO2催化剂活性最佳,反应240 min后,硝酸盐转化率为31%,氮气的选择性为56%.  相似文献
6.
采用射频磁控溅射制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.以X射线衍射、扫描电镜等对薄膜的结构和形貌进行了表征,XRD和SEM测试结果显示Cu掺杂量为5.0at.%时,Zno9,Cu0.05O薄膜呈纳米柱状结构.同时也对薄膜的光致发光(PL)进行了研究.结果表明,406nm的发光峰源于带边自由激子电子的复合,440nm的发光峰则和薄膜中的锌间隙Zni缺陷有关.  相似文献
7.
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnS掺杂Cu前后的电子结构和光学性质。通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现引入杂质Cu后,在价带顶Cu3d态与S3p态发生p-d排斥,造成价带顶向高能端移动;在导带底Zn4s与Cu3p相互重叠,发生杂化,引起导带向低能端偏移,两方面的作用使得ZnS的带隙变小。掺Cu后ZnS的光吸收向低能端扩展,并且在可见光区生成新的吸收峰。  相似文献
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