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本文提出了一种构造全介质异向介质的全新方法,根据Maxwell方程组及本构方程中传导电流与位移电流对于物质电/磁偶极短的相同贡献,BST陶瓷中体位移电流取代金属中面传导电流,使得BST陶瓷具有异向电磁特性.从理论和实验上证明了这一理论的正确性. 相似文献
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用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.研究沉积气压和衬底温度对BST薄膜结构及介电性能的影响.应用XRD和AFM表征薄膜的物相结构及其表面形貌,通过阻抗分析仪测量薄膜的介电性能.结果表明在3.0 Pa沉积气压和600℃衬底温度下制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有较好的微结构和介电性能. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备Ho3+:Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST)纳米粉体.根据Judd-Ofelt理论对纳米粉体的吸收光谱进行拟合,得到晶体场强度参数Ω2、Ω4和Ω6分别为0.229×10-20、0.515×10-20和0.761×10-20cm2,并系统计算Ho3+各能级跃迁的振子强度、自发辐射跃迁几率、荧光分... 相似文献
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采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列. 相似文献
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采用固相反应方法制备出(1-x)Ba 0.2Sr0.8Ti0.98Zn0.04O3+xY2O3(x=0,0.02,0.025,0.03)陶瓷材料,并研究Y2O3掺杂对BST-Zn陶瓷样品结构和介电性能的影响,得到以下结论:(1)一定量的Y2O3掺杂,可使BST-Zn陶瓷的晶胞体积增大,晶粒尺寸减小;(2)频率为10Hz时,当掺入2%Y 2 O 3时,ε'最大值可达到885,此时介电损耗为0.024;(3)Y 2 O 3掺入使得低温的弥散相变转化向极化玻璃化转变,并在250K和350K附近出现新的弛豫过程. 相似文献
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采用脉冲激光沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜;研究不同氧压下的BST薄膜的介电性能.结果表明,当沉积温度为680℃时不同氧压下的BST薄膜均择优(210)面取向生长;氧压为0.01Pa时取向因子稍大,为0.6637;当氧压从0.1 Pa变化到0.001 Pa时薄膜的平均粒径增大.介电常数增大. 相似文献
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Sol-Gel方法制备BST粉体的化学机理和晶化过程研究 总被引:7,自引:0,他引:7
以钛酸丁酯、醋酸钡、醋酸锶为原料,乙二醇甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法按Ba:Sr=0.65:0.35的组分要求制备了(BaxSr1-x,)TiO3粉体.应用FT-IR、X射线、DTA/TGA等分析手段,研究了Sol—Gel方法制备BST粉体过程中的物理化学过程及其晶化行为.实验结果表明:在BST凝胶中,COO-部分进入了凝胶的空间网络结构,起到一种中间连接体的作用;粉体在750℃时,完全晶化. 相似文献
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溶胶—凝胶法制备(Ba0.5Sr0.5)TiO3铁电薄膜及电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
了一种以水为溶剂的(Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)源溶液,用Sol-Cel技术制备出BST薄膜,并研究了薄膜的结构和电性能,结果表明,厚度为160nm,700度保温1h的(Ba0.5Sr0.5)iO3薄膜呈现纯钙钛矿结构,在室温下,介电常数为220,介电损耗为0.047,漏电流密度为8.0*10^-8A/cm2,进一步研究发现,随着烧结温度的升高,薄膜的介电常数增高,介电损耗降低。 相似文献