毛竹及其变种叶片化学计量与养分重吸收效率

【目的】评价毛竹(Phyllostachys edulis)及其变种叶片养分重吸收效率,旨在揭示主要养分元素的生态适应机制,以期为毛竹及其变种的可持续经营提供科学依据。【方法】以毛竹及其变种[黄槽毛竹(P. edulis cv. Luteosulcata)、花毛竹(P. edulis cv. Tao Kiang)、厚壁毛竹(P. edulis cv. Pachyloen)、金丝毛竹(P. edulis cv. Gracilis)]为研究对象,分析不同竹龄(1、3、5 a)叶片化学计量特征与养分重吸收效率。【结果】毛竹及其变种C、N 含量差异较小,P含量波动性较大。不同竹种相同竹龄立竹间成熟叶和凋落叶C、N、P含量差异性较大,1年生竹种叶片养分含量较高,随着竹龄增加,竹种适应能力逐渐下降。毛竹及其变种相同年龄立竹间、同一变种不同年龄立竹间叶片化学计量比存在一定差异性。1、3、5年生花毛竹叶片N、P重吸收效率较高,年龄对除厚壁毛竹外的其他毛竹及其变种叶片N重吸收效率影响呈现先升后降趋势,而不同年龄毛竹及其变种叶片P重吸收效率波动性较大。【结论】研究区毛竹及其变种生长受P元素的限制,毛竹及其变种随竹龄的增加适应能力有所变化,花毛竹适应性较强,厚壁毛竹则对土壤的依赖性较大。     

不饱和类卡宾H_2C＝CNaX(X=F,Cl,Br)的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311+G(d,p)水平上研究了不饱和类卡宾H2C=CNa X(X=F,Cl,Br)的结构.结果表明,不饱和类卡宾H2C=CNa X(X=F,Cl,Br)各有2种平衡构型,其中具有三元环结构的构型能量低,是其存在的主要构型.预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.计算得到了最稳定构型分子内氢迁移反应的过渡态.讨论了卤原子对不饱和类卡宾H2C=CNa X的影响.     

数控仿真中切削面计算的并行化研究

针对高离散精度模型与刀具包围体进行切削计算的情况,由于三维图像重建的计算量大,基于传统CPU实现的数控加工仿真系统不能满足实时性的三维绘制。本文利用GPU的并行性特点,提出并行方式数控仿真切削面显示算法:通过线程并行处理基于MC算法的实体构造模型中体素与刀具包围体的切削计算,根据切削后体素角点信息和边的状态查找建立的构型索引表和交点数目索引表,加速数控仿真切削面的提取,从而提高三维图像的绘制速度,满足实时性显示要求。     

带有缓冲库的串联CIMS渐近稳定性分析

讨论了一个可靠机器,一个不可靠机器和一个缓冲库构成的计算机集成系统(CIMS),利用由该系统所决定的算子A+E生成的Banach空间中的正压缩C0半群,证明了此系统的非负稳定解恰是算子A+E的0本征值所对应的规范化后的本征向量;同时通过对算子A+E的谱点分布的分析,证明了算子A+E的谱点均位于左半平面且在虚轴上除0点外无谱,作为线性算子半群稳定性的一个直接结果,得出了该系统解的渐近稳定性.     

高性能低功耗的32位RISC微处理器HMS30 C7202

HMS30C72 0 2是Hynix公司的高性能低功耗嵌入式处理器产品。文中详细介绍了HMS30C72 0 2的结构、接口特性、功能等 ,对采用ARM内核微处理器的研究和开发人员有重要的帮助。     

单片机在加热炉测温中的智能应用

系统研究的是以 8位单片机 89C5 2为核心的控制系统 ,用来控制小功率的加热炉 .该加热炉的炉温范围为 0℃～ 1 0 0 0℃ ,系统主要调节温度在 80 0℃左右 ,其精度可达± 1℃ .     

具有（W~＊－W）CPCP的共轭空间X

本文引进了概念（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，并证明了：若ｘ”具有（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，则Ｘ￣＊的每个非空ｗ￣＊一紧凸子集Ｋ的弱￣＊一弱连续点集是Ｋ的弱￣＊一稠密子集。     

农机报表管理系统的设计与实现

以新疆生产建设兵团农机报表管理系统为例，介绍了基于C／S和B／S模式的农机报表管理系统的设计与实现，并对其系统开发中的关键技术等内容进行了探讨。     

ICP-AES光谱仪的研制及其分析软件的设计

目前,市场上的ICP光谱仪仍以国外仪器为主,国内仪器的开发与研制始终未能有所突破,在仪器分析软件上仍属空白,这极大限制了国内ICP光谱仪的发展.本文主要针对单道顺序扫描型ICP-AES光谱仪的硬件及分析软件的开发提供了思路.     

C60偶联多孔硅系统的蓝光发射

用G60作为表面钝化剂，与多孔硅进行偶联．发现当C60偶联多孔硅系统在空气中存储一年后，能够发射460nm左右的强烈蓝光．经过系统的测量和分析，认为蓝光起源的发光中心与SiO2体材料中的“自捕获激子”模型类似．它是由一个氧空位和一个间隙氧组成的，间隙氧同时和相邻的晶格氧形成过氧连接．光激发载流子来自于Si纳米晶粒的核心，辐射复合过程则在多孔硅表面的发光中心进行．进一步的电子束辐照和臭氧辐照实验证明了这个发光中心的存在．从FTIR谱的分析，推测是样品表面Si=O双键的缓慢变化促使了蓝光中心的自发产生．