全文获取类型
收费全文 | 7910篇 |
免费 | 222篇 |
国内免费 | 293篇 |
专业分类
系统科学 | 11篇 |
丛书文集 | 440篇 |
教育与普及 | 440篇 |
理论与方法论 | 48篇 |
现状及发展 | 46篇 |
研究方法 | 1篇 |
综合类 | 7439篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 73篇 |
2022年 | 85篇 |
2021年 | 67篇 |
2020年 | 108篇 |
2019年 | 122篇 |
2018年 | 63篇 |
2017年 | 85篇 |
2016年 | 101篇 |
2015年 | 154篇 |
2014年 | 332篇 |
2013年 | 281篇 |
2012年 | 331篇 |
2011年 | 365篇 |
2010年 | 354篇 |
2009年 | 419篇 |
2008年 | 392篇 |
2007年 | 387篇 |
2006年 | 350篇 |
2005年 | 341篇 |
2004年 | 306篇 |
2003年 | 351篇 |
2002年 | 327篇 |
2001年 | 388篇 |
2000年 | 320篇 |
1999年 | 275篇 |
1998年 | 219篇 |
1997年 | 272篇 |
1996年 | 240篇 |
1995年 | 228篇 |
1994年 | 205篇 |
1993年 | 151篇 |
1992年 | 171篇 |
1991年 | 147篇 |
1990年 | 148篇 |
1989年 | 136篇 |
1988年 | 52篇 |
1987年 | 46篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 2篇 |
1932年 | 1篇 |
排序方式: 共有8425条查询结果,搜索用时 125 毫秒
1.
2.
该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善. 相似文献
3.
该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管 相似文献
4.
本文建立了铁磁条和硬势垒共同调制下的石墨烯纳米结构模型,计算了铁磁条产生的磁场的大小和铁磁条的宽度对石墨烯中谷依赖的电子输运性质的影响,重点研究了该石墨烯纳米结构中电子的电导和谷极化特征. 数值计算结果表明,该纳米结构中可实现显著的谷极化效应,且磁场的大小和铁磁条的宽度均会对其中的电子电导和谷极化产生较大的影响. 因此,我们可以通过控制铁磁条的宽度和其产生的磁场的大小来获得实际需要的谷极化强度. 这项研究有助于理解和设计谷电子学设备. 相似文献
5.
为利用太阳光除去水体中有机染料污染物,并且解决催化剂回收再利用问题,以SolGel法结合垂直提拉及锻烧等技术,制备了铁取代Keggin型磷钨杂多阴离子PW_(11)O_(39)Fe(Ⅲ)(H_2O)~(4-)(PW_(11)Fe)与有机陶瓷复合光催化材料。利用UV-Vis、FT-IR和SEM等手段对上述复合材料进行了结构表征和组成测定。通过水溶液中罗丹明B(RhB)的降解反应评价PW11Fe/有机陶瓷复合光催化材料的光催化活性,并系统研究了催化剂用量、煅烧温度等条件对光催化性能的影响。实验结果表明:当PW_(11)Fe的负载量为3.0 g时,50 mL 10μmol/L的RhB水溶液在400 W金卤灯照射120 min后,降解率可达98.6%。 相似文献
6.
赭曲霉毒素(OTA)具有细胞毒性,免疫抑制作用和抑制DNA和RNA合成,因此建立一种快速灵敏的方法检测OTA成为热门的研究方向.本文以掺杂Al3+离子作为改性剂制备的分子印迹聚合物修饰的电化学传感器.Al3+与模板分子产生强的配位作用,这种配位作用有效的提高了掺杂分子印迹聚合物的印迹效率.1 相似文献
7.
赞比亚东部省奇帕塔地区扎里拉铁铜矿带产在超基性岩体与中酸性岩体的接触带,通过对地质背景、矿化特征分析,认为其成因属与超基性岩地有关的铜矿床,有一定的找矿远景。 相似文献
8.
采用沉淀聚合法, 以PdCl42−为模板, 以4-乙烯基吡啶(4-VP)、2-烯丙巯基烟酸(ANA)、2-乙酸胺基丙烯酸(AAA)为功能单体, 加入交联剂二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)、引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)和致孔剂甲醇, 制备钯离子印迹聚合物。通过添加不同种类、用量的功能单体和不同用量的交联剂, 探究不同制备条件对钯离子印迹聚合物制备效果的影响。优化结果表明, 与ANA和AAA功能单体对比, 4-VP和PdCl42–能形成4:1的稳定配合物, 结合常数最大, 印迹效果最好, 是 3 种功能单体中用于制备钯离子印迹聚合物的最佳选择。吸附试验结果进一步表明, 按照模板、功能单体、交联剂用量比例为1:4:40制备的钯离子印迹聚合物对Pd(II)的吸附量最大, 为5.042 mg/g。 相似文献
9.
提出了一种新型制备钙钛矿的方法-PVA聚合物辅助法,并成功制备了SrCoO_3电催化剂.与其他的合成方法相比,该方法合成时间更短,步骤简洁,便于规模化生产.与传统PEI聚合物辅助法相比,PVA更环保,煅烧过程中无有毒有害气体产生.对SrCoO_3样品进行了XRD和BET表征,并在0.1 mol/L KOH溶液中测量了其OER性能.结果表明,该方法适合大规模合成高性能钙钛矿材料. 相似文献
10.
针对胜利油田高温高盐的油藏环境,设计合成了一种具有梳型结构的疏水缔合聚合物,系统考察了该聚合物溶液的增黏性、耐温抗盐性、长期稳定性、注入性和驱油效果。实验结果表明,随着浓度的增加,溶液黏度呈指数增长,增黏性强。在高温高盐条件下,该疏水缔合聚合物溶液黏度均比常规聚丙烯酰胺溶液高,表现出优异的耐温抗盐性能。在90℃条件下,随老化时间增加,溶液黏度先增加后降低,60 d后溶液黏度值大于40 mPa·s,表现出优异的长期稳定性。随注入量增加,压力先增加后趋于平衡,达到0.5 MPa,表明其注入性良好。当注入浓度一定时,随着注入倍数的增加,提高原油采收率幅度先增大后趋于稳定;当注入倍数一定时,随疏水缔合聚合物浓度的增加,提高采收率幅度增大。 相似文献