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1.
从半导体产业链和产业特征出发,梳理中国半导体产业链存在的风险点,并从实现半导体产业自主可控角度提出政策建议.研究发现,中国半导体产业链关键节点面临风险为上游原料硅晶圆全球寡头垄断、晶圆加工工艺不先进、半导体设计软件对外依赖度高、半导体加工设备仪器自给率低;风险形成的原因为起步晚并遭到发达国家技术封锁、研发投入还有待加强、忽视基础研究的创新、半导体人才严重缺乏.  相似文献   
2.
文章采用热注入法制备CsPbBr3量子点,使用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)分析量子点的晶相结构,通过吸收光谱和循环伏安法表征量子点的能带结构。实验制备的量子点禁带宽度为2.52eV,半峰宽仅为25nm,可与小分子有机半导体C8-BTBT共同溶解于有机溶剂中,形成稳定的胶体分散体系。通过滴注和浸渍提拉法制备了CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜,分别采用365nm的紫外光和470nm的蓝光LED作为激发光源,表征了量子点薄膜及复合薄膜的光致发光性能。实验结果表明,纯CsPbBr3量子点薄膜的转换效率可达90%,以有机半导体C8-BTBT作为复合基质的薄膜在紫外光激发下光致转换效率提高了44%。  相似文献   
3.
 通过对历史文献的耙梳,介绍了黄昆学术成长的历程,回顾了黄昆在固体物理方面的杰出成就,探讨了其创办第一个半导体专业化、建立半导体物理研究基地、形成独特的学术传统等,为发展新中国半导体事业作出的贡献。  相似文献   
4.
针对精准发酵过程特征气体实时在线监测的需求,采用可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)方法对发酵尾气中CO2进行了检测技术研究,并结合精准发酵工艺特点,研发了一套激光CO2在线监测分析系统,检测量程为0~2%,实现了全量程范围内测量误差小于0.08%,响应时间达到5.46 s。现场试验结果表明,该系统具有较高的灵敏度、稳定性与可靠性,并且使用寿命较长,适用于精准发酵过程特征气体的在线监测。  相似文献   
5.
作为聚噻吩类似物,聚硒吩类材料具有带宽低、迁移率高、氧化还原电位低等优于聚噻吩类材料的特性,在电致变色、场效应晶体管、光伏电池等多个应用领域展现出良好的应用前景,近年来又重新引起了科学家们的关注,并在部分领域实现了性能上的重大突破。本文围绕硒吩类化合物的合成、聚硒吩类材料的制备、性能及其应用等方面系统总结了聚硒吩类导电高分子近十年来的研究进展,并简要探讨了当前的研究困难及下一步的发展方向。  相似文献   
6.
在功率较小的温度控制系统中,可以广泛运用半导体制冷,因为它在制冷时,没有污染、可靠性非常强。例如便携式汽车冷暖箱、冷热饮水机、微机芯片的制冷等。本文详细叙述了半导体制冷片(器件)的工作原理、工作过程及其特点,并研究开发了一套以单片机STC12C5A60S2控制为核心,数字式温度传感器,半导体制冷片以及固态继电器配合使用的微机芯片温度检测制冷控制系统。该系统具有很强的实用性和可移植性。  相似文献   
7.
江勇 《自然杂志》2015,37(4):261-268
主要结合作者多年的研究实践,简要而系统地介绍了第一性原理计算应用于金属与金属氧化物界面问题的研究思路和方法;并以金属基复合材料Cu/(Al2O3)p的内氧化原位制备为研究实例,介绍了第一性原理界面热力学与扩散动力学的结合,可以在界面层次上实现对材料微观结构形成和演变的预测,从而为材料的制备实践提供理论指导。  相似文献   
8.
报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.  相似文献   
9.
半导体介晶综述   总被引:1,自引:0,他引:1  
介晶是纳米晶粒通过有机物桥连、部分通过有机物或部分自身连接以及完全通过自身连接在一起形成具有介观尺寸(1~1 000 nm)的三维有序组装体,表现出类似单晶的衍射花样。为更好地利用介晶半导体材料,概述介晶半导体材料的生长机理,即粒子介导的形成过程;总结介晶半导体光催化材料Ti O2、Zn O、WO3、Bi2WO6、Cd S/Cd Se和Pb S等在能源和环境方面具有应用潜质的制备方法;结合介晶结构分析,讨论半导体材料中缺陷的检测方法及其分布,以及缺陷对光催化性能的影响;展望介晶半导体光催化材料的应用前景。  相似文献   
10.
压电极化和半导体特性之间的耦合因具有独特的物理性质而引起了人们的关注,并由此兴起了一些新的研究领域(如压电电子学和压电光电子学).文章回顾了压电效应和压电光电子学效应对金属/半导体(M/S)和p-n结的影响,详细介绍了c轴和a轴压电电子和压电光电子学研究的基本进展和应用探索. c轴纳米结构中的压电效应是界面效应,它利用在纳米结构的局部M/S接触处或同质/异质结处产生的压电极化来控制载流子跨界面传输,并通过光感应载流子进行相应的光电过程.在非极性a轴纳米线中,外部应变感应的压电电荷沿整个极性表面分布,方向垂直于纳米线.压电半导体的电荷载流子传输过程在整个纳米结构体内受到压电效应的调节.  相似文献   
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