基于三维重构的混凝土多相渗透模拟方法综述

首先指出了混凝土渗透性研究中均匀化研究方法的不足;并拟定了基于三维重构的混凝土多相渗透模拟技术路线。随后回顾了混凝土材料三维重构与多相渗透模拟的问题背景、研究方法与研究现状;最后介绍了混凝土界面过渡区(ITZ)的渗透特性、形成机理和分布特征。     

超低离子渗透性水泥基材料的组分及其结构与性能

采用加速扩散法测试超低离子渗透性水泥基材料(ULIPCM)的离子传输性能,采用显微硬度、压汞法(MIP)、扫描电镜-能谱仪(SEM-EDXA)研究其微观结构,提出ULIPCM的界面过渡区结构模型.结果表明:ULIPCM的Cl-扩散系数≤0.8×10-13m2/s,6 h导电量≤300 C;与高性能混凝土(HPC)相比,ULIPCM的Cl-扩散系数下降1～2个数量级,6 h导电量下降约40%,ULIPCM的Cl-渗透性能非常低;ULIPCM用作海洋工程结构混凝土保护层时,其厚度≥1.5 cm.ULIPCM的集料与水泥石界面过渡区的微观结构和性能得到显著改善,有利于提高其抗渗性能,尤其是ULIPCM的集料与水泥石界面过渡区由传统混凝土的60～100 μm细化为30 μm以下,从而有效地阻断侵蚀性介质的渗入通道.     

濒危植物革苞菊地下器官解剖学研究

革苞菊为多年生草本植物,叶基生.多数植株在地上部分为两株以上,而地下部分却生长在共同的根上并具分枝.由于其地下部分行使根的功能,长期以来,人们一直认为革苞菊的地下部分是根.本文采用石蜡制片法,对革苞菊地下部分的内部结构进行了详细的解剖学观察,结果证明其分枝以下部分为根的结构,分枝以上部分为茎的结构,分枝处为根茎转变区.同时探讨了革苞菊的地下茎与环境的适应特性.     

功率VDMOS用硅外延材料的制备

介绍了一种实用的VDMOS器件用硅外延片生长技术,该技术使用PE-2061S外延设备,通过特有的工艺技术,在直径0.12m重掺锑（Sb）衬底上,完成了高阻厚层N型外延片的生长。外延层厚度大于74μm,电阻率大于27Ω.cm,其厚度、电阻率及结晶质量等参数都得到了很好的控制,其中部分技术参数达到了国际先进水平。结果表明,该外延材料完全满足VDMOS器件的制作需要。     

nmAl粒子的电磁波吸收和金属—绝缘体相变

ｎｍＡｌ粒子在一定的粒径范围内对电磁波有较强的吸收能力，其吸收率ａ≈０．４．在这个粒径范围内，Ａｌ粒子既不具有完全的金属性。也不具有完全的绝缘性。ｎｍＡｌ粒子的金属－绝缘体相应不是一个个突变过程，存在“过渡区”。     

氯离子诱导的镍在硝酸溶液中的电流振荡

报道了氯了子诱导的镍在0．5mol.dm^-2硝酸溶液中活化－钝化过渡区电流振荡，在恒电位条件下，随着氯离子浓度的升高或者电极电位的降低，电流振荡由周期性振荡逐渐向非周期性振荡转变，根据实验结果，对该体系的电流振荡机理进行了讨论。     

过渡区提取方法综述

图像分割是图像理论发展的瓶颈, 过渡区是指图像中介于目标和背景之间的 特殊区域,借助于过渡区的确定进行图像 分割。主要介绍了过渡区提取的两大类方法 ：基于梯度的方法和基于非梯度的方法, 并对提取效果以及存在的问题做了简要分析。     

硼锰共渗层显微组织研究

本文介绍了国外渗锰、硼锰共渗研究现状.研究了46、T12钢在含有不同含量锰的硼锰共渗剂中渗后组织.试验表明,随着渗剂中锰含量增多渗层减薄,硬度降低.渗剂中锰含量过高时,渗层出现奥氏休.     

介于野生和栽培之间的植物群

以生长在坡面园地和次生植被之间的过渡区域的可食用植物为中心展开论述。在中国海南农村地区中,一些可食用植物是被人们从别的地方移植来的,而有些则是自然生长出来的。自然生长出来的植物根据各自对人的利用价值,或得到保护、保留,或被除去。就是这样的人和植物之间的互动决定了过渡区域的植被状况。这也许可以看作是理解野生植物栽培化的重要线索。     

萝卜根茎过渡的初步研究

萝卜根茎过渡区位于下胚轴生理上端，长度约５ｍｍ。在子叶迹附近１ｍｍ范围内变化最显著。它的变化是由二原型的根变为具有四大束和两小束外韧维管束的茎。