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1.
以122型为代表的铁基超导体在临界电流密度、上临界场以及各向异性方面具有较大的优势,引发了新一轮研究热潮.目前,虽然122型线带材的性能已达到实用化水平,但该体系仍存超导相非均匀分布等问题,限制了其载流性能的提升.新发现的具有化学计量比的1144型超导材料具有更好的均匀性、独特的钉扎特性以及更高的载流性能,使其适合于高场应用.本文简述了1144材料的结构和超导特性,并详细分析了单晶、多晶及超导线带材制备工艺的优化,以及性能提升的方法.同时,为提高1144型铁基超导线带材的临界电流密度,讨论了改善晶粒连接性和超导相纯度的途径.  相似文献   
2.
基于复变函数理论,对在无穷远处受到电流和能量流共同作用的含正方形孔热电材料的二维断裂问题做了分析。利用保角映射,给出了热电弹性场中应力势函数φ(z)和ψ(z)的复数表达式,并根据电绝缘和热精确边界条件,获得了在曲线坐标系下环向应力σ_(θθ)和环向能量流j_(uθ)的解析表达式。  相似文献   
3.
架空线路杂散电流在埋地金属管道上产生电磁干扰,会加速其腐蚀及正常运行。针对正常运行情况下500 kV输电线路与埋地油气金属管道交叉跨越运行工况,通过仿真计算对比分析了管道交叉跨越长度、交叉夹角、土壤电阻率、土壤结构、导线平均高度、导线负荷电流、管道防腐涂层及接地装置等因素对埋地金属管道电磁干扰的影响。研究结果表明:沿埋地金属管道的感应电压、涂层电压及电流密度呈"W"型变化规律;线路-管道交叉跨越长度及其夹角θ、导线负荷电流及管道涂层电阻率影响埋地金属管道电磁干扰,土壤电阻率、土壤结构、导线平均高度及接地装置基本不影响埋地金属管道电磁干扰。本研究结论为输电线路-油气管道交叉跨越施工提供参考。  相似文献   
4.
为提高聚合物太阳能电池中有源层的光吸收,提出了一种新型结构的器件———具有多光学间隔层结构的 聚合物太阳能电池,该结构通过调节多光学间隔层折射率的分布方式,调节有源层内光电场的分布,使有源层 对入射光得到充分吸收,进而优化器件性能。采用传输矩阵法对这种多光学间隔层聚合物太阳能电池进行了 光学模拟,探索了多光学间隔层折射率的分布方式对倒置结构聚合物太阳能电池器件有源层光电场的分布和 短路电流密度( Jsc) 的影响。模拟选取的多光学间隔层是通过在ITO( Indium Tin Oxide) 玻璃衬底上依次旋涂未 掺杂ZnO 和掺杂浓度分别为0. 002 5 mol /L,0. 005 mol /L,0. 01 mol /L 的铯掺杂氧化锌( CZO: Cs doped Zinc Oxide) 薄膜制备而成的。模拟结果显示,采用从上到下铯掺杂浓度依次增加的多光学间隔层结构能有效提高 器件有源层对入射光的光吸收和短路电流密度。  相似文献   
5.
对Cu-0.33Cr-0.06Zr合金先固溶再冷变形,进行了450℃下不同时效时间及不同电流密度的时效试验。研究了不同电流密度对Cu-0.33Cr-0.06Zr合金时效后硬度的影响。研究结果表明:电流密度越大,合金到达硬度峰值的时间越短。合金在电流密度为400A.cm-2下,时效0.25h就到达峰值227HV。对比无电流下时效,大密度的直流电流在时效初期能大大提高合金的硬度,时效后期则会降低合金的硬度。  相似文献   
6.
带钢表面清洁度已逐渐成为冷轧带钢市场竞争的一项关键指标,在连续热镀锌中清洗段起到尤为重要作用,结合首钢京唐1号热镀锌生产,为了提高清洗质量,提出了一些改进方法或措施,避免了对退火及后续处理的不利影响,取得了较好的效果.  相似文献   
7.
在碱性硅硼电解液体系中对AZ31镁合金进行电化学阳极氧化成膜处理,用扫描电镜观察氧化膜微观形貌,用电化学交流阻抗和Tafel极化曲线测试表征阳极氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明,在较小的电流密度下所得阳极氧化膜颗粒细密,但是短时间内氧化膜对镁合金基底覆盖不完整;在过高的电流密度下所得氧化膜会出现较多的孔洞。这两种结构形态均不利于提高阳极氧化膜的耐蚀性能。在20 m A/cm2下处理10 min所得的氧化膜具有完整的形态和最好的耐蚀性能。  相似文献   
8.
以不锈钢作阳极,采用静态小孔法测量TIG电弧压力.结合电弧阳极电流密度分布、伏安特性和弧长电压特性曲线分析不锈钢TIG焊的电弧压力特性.与水冷铜作阳极时的电弧压力对比,结果表明:在相同条件下不锈钢作阳极时电弧压力的分布服从高斯分布,分布半宽值较大,电弧压力峰值较低并随着电弧电流的增大、弧长的减小而增大;2种阳极条件下电弧压力峰值的差值随电流增大而增大,随弧长增大无明显变化.  相似文献   
9.
对铝及其合金微弧氧化技术的发展概况、成膜机理、膜层性能以及成膜的影响因素进行了概述,并对其发展前景进行了展望.  相似文献   
10.
制备了结构为ITO/NPB(40nm)/DPAVBi(znm)/Alq,(30nm)/LiF(0.5nm)/AI的蓝绿色OLED器件.通过改变DPAVBi的厚度,研究其对器件性能的影响.当DPAVBi层厚度为20nm时,器件的性能较好.在电流密度为38.79mA/cm。时,效率为3.32cd/A;在电压为21V时,亮度为8296cd/m。.而且,随着电流密度的增加,四个器件的效率曲线变化非常平缓,说明器件的电流荧光湮没性较弱.当驱动电压从10V增加到21V时,器件的色坐标从(0.27,0.48)变化到(0.25,0.45),始终处于蓝绿光范围内,色度变化很小.  相似文献   
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