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1.
采用氨水和碳酸氢铵为沉淀剂较为系统地研究了制备纳米氧化锆—氧化铈复合粉体的性能及影响因素。采用TAS-200型热重一差热分析仪、pH计、PhillpsCMl2型透射电镜观察等仪器进行检测表征。研究结果表明,采用氨水作沉淀剂与采用NH4HCO3作沉淀剂时,两种沉淀方法得到的沉淀物差别很大;采用碳酸氢铵为沉淀剂时,1100℃以后粉体处于稳定状态,生成了高温下的稳定相;在同样的煅烧温度下,用氨水作沉淀剂制备的粉体纳米颗粒出现明显团聚,用NH4HCO3作沉淀剂制备的粉体只有极少量的团聚。 相似文献
2.
考察了NiO掺杂的Pt/WO3/ZrO2催化剂在200℃时正庚烷临氢异构化反应性能.结果表明,少量NiO的加入能显著提高Pt/WO3/zrO2的催化活性,异构化选择性也有所增加,这是由于pt^0浓度和Pt分散度的增加以及临氢条件下具有更多的B酸位引起的.催化剂连续反应80h,正庚烷转化率和异构化选择性分别稳定在57%和98%. 相似文献
3.
CeO2-ZrO2系统的高压固态反应和性质 总被引:2,自引:0,他引:2
以化学共沉淀法制备的CeO2和ZrO2纳米微粒为前驱体, 在高压高温(3.1 GPa, 1073 K)下合成了单相Ce0.5Zr0.5O2面心立方固溶体, 固溶温度明显低于常压下的固态反应温度. 结构分析表明, 立方Ce0.5Zr0.5O2固溶体在773 K以下是热稳定的. EPR结果显示Ce0.5Zr0.5O2固溶体中Ce离子完全以Ce4+形式存在, 773 K退火也不引起Ce4+向Ce3+的还原. 阻抗谱测量表明固溶体是离子导体, 823 K时, 电导率 ? = 1.2×10?5 S/cm, 与纯CeO2在同温度下的电导率同数量级; 1123 K时, ? = 2.1×10?3 S/cm, 小于掺杂的氧化锆和氧化铈基电解质的电导率. 在高温区和低温区ln(σT )与1/T的关系满足斜率不同的两条直线, 但低温活化能小于高温活化能. 对实验结果进行了讨论. 相似文献
4.
5.
利用激光熔覆技术在氧化镁稳定氧化锆(MSZ)固体电解质表面制备出了ZrO2+MgS辅助电极涂层.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了熔覆层的微观组织,并分析了影响涂层稳定性的因素.研究结果表明,熔覆层与基体结合良好,MgS粉体未完全分解和氧化,因此,利用激光熔覆法在氧化锆固体电解质表面制备ZrO2+MgS辅助电极方法可行.在1 600℃时,硫分压大于10-4.95Pa,MgS不发生分解;氧分压为10-55.78Pa时,硫分压大于10-46.36Pa,MgS不发生氧化. 相似文献
6.
李运康 《西安交通大学学报》1989,23(2):35-40,64
本文提出了制备 Y-PSZ 微粉体的方法.具有线性结构的氢氧化锆被确定为前身粉末.通过胶溶,使氢氧化锆沉淀形成稳定的溶胶.用乙醇和丙酮脱去氢氧化锆凝胶中包襄的水分,可给出均匀和快速干燥的粉末.氢氧化锆前身粉末煅烧以后,可以得到亚微米级白色的 Y-PSZ 微粉. 相似文献
7.
栗庆田 《济南大学学报(自然科学版)》1998,(3)
为提高以ZrO2为主要成分的陶瓷水口新材料的力学性能,延长水口的使用寿命,用电子显微分析方法研究了材料的显微结构特征,提出材料的显微结构对力学性能的影响因素。认为晶粒大小是影响材料力学强度的主要因素,层错、位错缺陷的存在,可以提高材料的断裂韧性。并探讨了稳定剂对材料烧结温度的影响。 相似文献
8.
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,纯Ar气氛,基片分别为加热300℃和不加热的情况下制备的No.2系列和No.7系列的用Y2O3稳定的ZrO2薄膜(简称YSZ膜)。研究发现:YSZ膜心部区S参数随退火温度升高而降低;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄;基片加热,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织。 相似文献
9.
共沸蒸馏法制备ZrO_2纳米晶微粉的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
在湿化学共沉淀法制备超细微粉工艺过程中,团聚问题是一个常见也是难以解决的问题,而湿凝胶表面的吸附水是团聚产生的一个主要原因。文章采用非均相共沸蒸馏法以正丁醇为夹带剂对水合氢氧化锆凝胶进行脱水,克服了粉体硬团聚的形成。经干燥,煅烧后成功地制成了氧化锆纳米晶微粉(dTEM=20nm)。 相似文献
10.
ZrO2增韧Al2O3复相陶瓷中氧化锆相分布的分形维数 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了氧化锆增韧氧化铝复用相陶瓷中氧化锆相分布的分形维数随氧化锆含量,烧结温度,保温时间的变化规律,通过与该材料的力学性能比较,该变化规律不但反应了相分布特征,而且与力学性能的变化规律一致,提出了利用相分布的分形维数作为一个参数来定量分析相分布对力学性能的影响的可能性。 相似文献